粒子右側(cè)添加符號(hào)“*”,表示該粒子處于激發(fā)態(tài),有較高

的能量。 K4B1G0846E-HCH9在上述過程中還伴隨著光子的激發(fā)。電子和離子的平均運(yùn)動(dòng)速率不同使得處于等離子體中包括電極在內(nèi)的任何物體的電位都低于周圍的等離子體,即浸沒于等離子體中的物體相對(duì)于等離子體而言是負(fù)電位,這種現(xiàn)象稱為等離子鞘。這是因?yàn)殡娮悠骄\(yùn)動(dòng)速率遠(yuǎn)快于離子,對(duì)于等離子體中的物體來說電子對(duì)其撞擊的頻率就遠(yuǎn)高于離子,這就相當(dāng)于物體表面存在一定密度的電子,而這表面電子對(duì)其他電子又有排斥作用,并增加了離子的撞擊頻率,最終,在物體表面存在剩余(負(fù))電荷密度,同時(shí)電子和離子的撞擊也達(dá)到了動(dòng)態(tài)平衡。在圖715放電管內(nèi)的正、負(fù)極板表面也存在等離子鞘,如在電位分布圖中正極板附近電位相對(duì)于等離子體有所下降,而負(fù)極板附近的電位是等離子鞘和負(fù)極板電位的疊加。

   直流氣體輝光放電以電容方式激發(fā)氣體,電極必須是導(dǎo)電材料。等離子體的能量密度較低,放電電壓較高,電子和離子只占粒子總數(shù)的萬分之一左右,自持放電需要有二次電子發(fā)射來維持。等離子體的電流密度與陰極材料和氣體的種類有關(guān),此外,氣體的真空度、陰極板的形狀及放電管結(jié)構(gòu)對(duì)電流密度的大小也有影響。電流密度隨氣體真空度的增加而增大,凹面形陰極的電流密度要比平板形陰極大。

   PECvd是利用了等離子體技術(shù)的集成電路工藝,產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)、電極形狀等就是依據(jù)等離子體特點(diǎn)進(jìn)行設(shè)計(jì)的。當(dāng)前.在集成電路工藝設(shè)備中利用直流氣體輝光放電現(xiàn)象產(chǎn)生等離子體的已不多見。