常用的APCVD方法是用TEOS/03系統(tǒng)來淀積SK)2。TEOS是有機(jī)物質(zhì),常溫時為液態(tài),凝固點為-77℃,沸點為168.1℃。液態(tài)TEOS源通常置于源瓶中用載氣鼓泡方式攜帶,同時用自身獨立的加熱器對源加溫,K4B1G1646G-BCKO因而進(jìn)人反應(yīng)室TEOS的濃度受載氣流速和加熱溫度這兩個因素控制。臭氧03包含二個氧原子,它比氧氣有更強(qiáng)的反應(yīng)活性,在較低溫下,03就能使TEOs分解,而且可以得到較高的淀積速率。例如,在300℃時加人3%的03,淀積速率達(dá)100~~900nm/n△ln;而在4O0℃只需要加人1%~2%的臭氧就可以達(dá)到這一淀積速率。因此,以TEOS/O3為反應(yīng)劑的是低溫△藝,I藝溫度約為400℃。

   在⒊O2薄膜中會含有水汽,因而針孔密度較高,通常需要高溫退火去除潮氣,提高薄膜致密度。進(jìn)行退火,對本工藝方法來說也就增加了能耗cAPCVD用TEOS/03來淀積⒏O2薄膜的主要優(yōu)點是以TE(B為硅源,在淀積過程中,因TE(E與氧化硅的黏滯系數(shù)低,表面再發(fā)射能力強(qiáng),對于有高深寬比孔洞和溝槽等微結(jié)構(gòu)襯底的覆蓋能力、填充能力優(yōu)良,薄膜的均勻性就好。這種薄膜的電學(xué)特性也較好,可以作為絕緣介質(zhì)薄膜,如集成電路各單元之間的淺槽隔離工藝中的氧化層介質(zhì)膜就可以采用APCl/D TE(B/03方法淀積。另外,APCX△D是利用熱能激活的C、⑩工藝,用TE(B/O3來低溫淀積⒊02,避免了常規(guī)低溫PECl/ˉD(或HDP CX/ˉlD)工藝方法在淀積s02薄膜時,由于等離子體的作用,對襯底硅片表面和邊角帶來的損傷。通常淀積s02薄膜是將APCVD TEOS/O3方法和其他方法結(jié)合起來使用,如將⒏H4/o2和TEOS/O3兩種方法聯(lián)用。這一方面是利用以TEOs/O3為反應(yīng)劑能改善薄膜的臺階覆蓋特性,另一方面能減小TEOS/O3在淀積厚膜時帶來的張應(yīng)力和減弱TEOS/03對下面膜層的敏感度。

   用TEO。方法即可以淀積非摻雜sQ薄膜,用于金屬層之間的絕緣層,也可以摻人PH3,形成RC,或者再摻人B,踐,形成BPS。阝r和驢℃都可作為制各金屬化系統(tǒng)之前的絕緣層,然后高溫回流。RC回流條件為950℃,15~30血n;叩℃回流條件為800℃,60n△n�；亓魇箵诫s的氧化層表面平坦、致密,且堅固。一個平坦的表面對于下一步的淀積薄膜或光刻圖形都有利。近年來,在超大規(guī)模射能力都很低,這種方法的臺階覆蓋能力和孔洞或溝槽的填充能力也就很差。因此,對于超大規(guī)模集成電路的關(guān)鍵應(yīng)用來說,APCVD方法并不適用。