三極濺射是在二極直流濺射設(shè)備的基礎(chǔ)上增加一個(gè)發(fā)射電子的熱陰極,即構(gòu)成了三極濺射設(shè)備。

   由于熱陰極發(fā)射電子的能力較強(qiáng),因而放電氣壓可以維持在較低的水平上,這有利PI3USB10ZEEX于提高淀積速率、減少氣體雜質(zhì)的污染。

   三極濺射設(shè)備典型的工作條件為:工作氣壓0.5Pa,濺射電壓1500V,靶電流密度為2.0mV耐,薄膜淀積速率約為0,3凹/lxun。

   三極濺射方法的缺點(diǎn)是難以獲得大面積且分布均勻的等離子體,且提高薄膜淀積速率的能力有限,因而這種設(shè)備并未獲得廣泛應(yīng)用。            

   與三極濺射類似的方法還有四極濺射,是在二極設(shè)各上再增加一個(gè)輔助陽(yáng)極構(gòu)成的。通過(guò)提高輔助陽(yáng)極的電流密度即可提高等離子體中離子的濃度,從而提高薄膜的淀積速率,而且轟擊靶的離子流叉可以得到獨(dú)立的調(diào)節(jié)。