為改善濺射薄膜的保形覆蓋特性,可以在襯底圓片上加載射頻偏壓,如果偏壓足夠大,圓片PIC18F8680-I/PT將被高能離子轟擊,這將有助于濺射材料的再淀積,可以在一定程度上改善薄膜的臺(tái)階覆蓋特性。

   強(qiáng)迫填充技術(shù)(如圖⒏28所示),是指在有高縱橫比的微小光刻接觸孔的圓片上濺射薄膜時(shí),有意使金屬薄膜在接觸孔頂拐角處產(chǎn)生明顯的尖端,直至兩個(gè)尖端相接觸,則淀積發(fā)生在接觸孔覆蓋膜的頂面,工作氣體(通常是Ar)被密封于接觸孔的空洞內(nèi)。此時(shí),接觸孔內(nèi)的薄膜臺(tái)階覆蓋特別差。為了修正這種狀況,把襯底放入一個(gè)壓力容器中,加熱,加壓到幾個(gè)大氣壓,如果壓力超過(guò)加熱金屬的抗曲強(qiáng)度,密封層就會(huì)塌陷下去,推動(dòng)金屬向下進(jìn)人接觸孔。強(qiáng)迫填充僅對(duì)一定范圍的接觸孔尺寸有效,它不能改善在孤立臺(tái)階上的金屬薄膜的保形覆蓋特性。