把圖像從掩模板上轉(zhuǎn)移到襯底表面需要有多個(gè)步驟來(lái)才能完成(如圖95所示是光刻工藝基本流程)。 HAT2038RJ-EL-E特征圖形尺寸、對(duì)準(zhǔn)容忍度、襯底表面情況和光刻層數(shù)都會(huì)影響到特定光刻下藝的難易程度和每一步驟的工藝。

    一般的光刻工藝要經(jīng)歷底膜處理、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、顯影檢驗(yàn)、刻蝕、去膠、最終檢驗(yàn)工序。下面依次介紹光刻工藝中各個(gè)步驟的簡(jiǎn)要過(guò)程,而圖95中后面的刻蝕等I序?qū)⒃诘?1章刻蝕技術(shù)中介紹。

   底膜處理

   硅片制造過(guò)程中許多問(wèn)題都是由于表面污染和缺陷造成的,因此硅片表面的處理對(duì)于集成電路制造成品率非常重要。底膜處理是光刻工藝的第一步,其主要目的是對(duì)硅襯底表面進(jìn)行處理,以增強(qiáng)襯底與光刻膠之間的黏附性。底膜處理包括以下過(guò)程。