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掩模板的基本構造及質量要求

發(fā)布時間:2017/5/25 21:07:27 訪問次數(shù):2558

   以鉻版為例,掩模板的基本構造如圖105所示,其材質依據(jù)不同的使用需求,可選擇不同的玻璃基片。 A2003G目前隨著工藝技術的精進,以具有低熱膨脹系數(shù)、低鈉含量、高化學穩(wěn)定性及高光穿透性等特質的石英玻璃為主流,在其上鍍有約100nm的不透光鉻膜作為I作層及約20nm的氧化鉻來減少光反射,增加工藝的穩(wěn)定性。掩模板之所以可作為圖形轉移的一種模板,關鍵就在于有無鉻膜的存在,有鉻膜的地方,光線不能穿透,反之,則光可透過石英玻璃而照射在涂有光刻膠的晶片上,晶片再經(jīng)過顯影,就能產生不同的圖形。也正是由于掩模板可用于大量的圖形轉移,所以掩模板上的缺陷密度將直接影響產品的優(yōu)品率。如果假設缺'點的分布是隨機的,則優(yōu)品率的表達式為,DO為單位面積的缺點數(shù);A為掩模板圓形面積;″為重要掩模板層數(shù)。

    掩模板上的缺陷一般來自兩個方面:一是掩模板圖形本身的缺陷,大致包括針孔、黑點、黑區(qū)突出、白區(qū)突出、邊緣不均及刮傷等,此部分皆為制作過程中出現(xiàn)的,目前是利用目檢或機器原形比等 方式來篩選;二是指附著在掩模板上的外來物,為解決此問題,通常在掩模板上裝一層保護膜,當外來物掉落在保護膜上時,因保護膜上物體的聚焦平面與掩模板圖形的聚焦平面不同,因此可使小的外來 物不能聚焦在晶片上,而不產生影響,如圖106所示是掩模板保護膜功能示意圖。



        

   以鉻版為例,掩模板的基本構造如圖105所示,其材質依據(jù)不同的使用需求,可選擇不同的玻璃基片。 A2003G目前隨著工藝技術的精進,以具有低熱膨脹系數(shù)、低鈉含量、高化學穩(wěn)定性及高光穿透性等特質的石英玻璃為主流,在其上鍍有約100nm的不透光鉻膜作為I作層及約20nm的氧化鉻來減少光反射,增加工藝的穩(wěn)定性。掩模板之所以可作為圖形轉移的一種模板,關鍵就在于有無鉻膜的存在,有鉻膜的地方,光線不能穿透,反之,則光可透過石英玻璃而照射在涂有光刻膠的晶片上,晶片再經(jīng)過顯影,就能產生不同的圖形。也正是由于掩模板可用于大量的圖形轉移,所以掩模板上的缺陷密度將直接影響產品的優(yōu)品率。如果假設缺'點的分布是隨機的,則優(yōu)品率的表達式為,DO為單位面積的缺點數(shù);A為掩模板圓形面積;″為重要掩模板層數(shù)。

    掩模板上的缺陷一般來自兩個方面:一是掩模板圖形本身的缺陷,大致包括針孔、黑點、黑區(qū)突出、白區(qū)突出、邊緣不均及刮傷等,此部分皆為制作過程中出現(xiàn)的,目前是利用目檢或機器原形比等 方式來篩選;二是指附著在掩模板上的外來物,為解決此問題,通常在掩模板上裝一層保護膜,當外來物掉落在保護膜上時,因保護膜上物體的聚焦平面與掩模板圖形的聚焦平面不同,因此可使小的外來 物不能聚焦在晶片上,而不產生影響,如圖106所示是掩模板保護膜功能示意圖。



        

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