首先,簡要介紹了真空系統(tǒng)的相關(guān)知識,如何獲得真空度、如何測量真空度,為在真PMBF170空條件下進行的各單項工藝做了的必要的知識儲備。然后,詳細介紹了真空蒸鍍和濺射兩種P、①薄膜制各工藝的原理和主要方法,對比介紹了提高薄膜質(zhì)量的控制措施。最后,對常采用P`0工藝制各的鋁、銅金屬互連系統(tǒng)中的鋁及鋁合金、銅及其阻擋層薄膜,以及多層金屬薄膜和化合物薄膜的性質(zhì)、用途和具體制備工藝做了較詳細的介紹。

   1,比較APCX/^lD、I'PC、0和PECvd方法的主要異同和主要優(yōu)缺點?

   2.有一特定LPCVD工藝,在700℃下受表面反應(yīng)速率限制,激活能為2eV,在此溫度下淀積速率為100nm/min。試問800℃時的淀積速率是多少?如果實測800℃的淀積速率值遠低于所預期的計算值,可以得出什么結(jié)論?可以用什么方法證明?

   3.LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率非常慢,因此常作為硅片定域KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜,而PECX/D氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速率快。怎樣才能用已淀積的PEC、0氮化硅薄膜作為KOH各向異性腐蝕的掩蔽膜?

   4.標準的臥式LPCˇ0的反應(yīng)器是熱壁式的爐管,襯底硅片被豎立裝在爐管的石英舟上,反應(yīng)氣體從爐管前端進人后端抽出,從爐管前端到后端各硅片淀積薄膜的生長速率會降低,那么每個硅片邊緣到中心淀積薄膜的生長速率將怎樣?如何改善硅片之間和硅片內(nèi)薄膜厚度的均勻性?