集成電路置藝對濺射用鋁及鋁合金靶的質(zhì)量要求很高,除了純度在5N以上外,還要求鋁硅、鋁PM8028合金靶成分必須準確、均勻。各種成分的鋁及鋁合金靶,如川、As1、AlCtlO5、AlSi1CtL15等,要求金屬 雜質(zhì)含量≤5×106。圖⒏33所示是兩種形狀的鋁及鋁合金靶照片。

   磁控濺射鋁及鋁合金的典型工藝參數(shù):基壓1.3×104Pa;襯底溫度⒛0℃;靶一襯底距離5cm;陰極電壓420V,電流13A;工作氣體為高純Ar,純度在5N以上,氣壓0.13~1.3Pa;濺射角5°~8°;濺射速率0.8~1um/mh。

   (a)78mm铞及鋁合僉靶   (b)⒛0mm铞及鍋合僉靶

   圖⒏33 兩種形狀的鋁及鋁合金靶照片

   磁控濺射鋁膜的附著力、致密性、臺階覆蓋特性,以及薄膜厚度的可控性和重復(fù)性都好于真空蒸鍍鋁膜。磁控濺射工藝也適合淀積鋁合金薄膜,用磁控濺射淀積的鋁合金薄膜其薄膜的組成成分與相應(yīng)的靶材的組成成分變化不大,如表⒏3所示是由復(fù)合靶濺射的鋁合金薄膜的組成。當(dāng)前,磁控濺射工藝已成為制備鋁及鋁合金薄膜的首選方法,普遍用于實際生產(chǎn)上。