電子束真空鍍鋁,源(也稱靶)為鋁粉末或鋁錠,通常采用水冷式石墨(或紫銅)坩堝裝源。鋁錠放PM8018在坩堝中,由于水冷散熱快,當坩堝中心的鋁熔化時,其邊緣鋁仍處于固態(tài),這樣可以避免鋁與坩堝反應(yīng)帶來的鋁膜純凈度的降低。硅片裝在行星式夾具上。夾具通常是由三個球面盤構(gòu)成的,蒸鍍時既公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn),以使所淀積的鋁膜厚度均勻,并改善臺階覆蓋特性。

    電子束真空鍍鋁的典型工藝參數(shù):基壓2,6×10ˉPa;襯底溫度120℃;蒸距45cm;淀積速率0,12~0.15um/min;電子槍電壓9kV,電流0.2A。

   電子束鍍鋁較鎢絲電阻加熱器鍍鋁,可以減少鎢絲加熱器引人的雜質(zhì),可以減少1~2個數(shù)量級的鈉,提高鋁膜的質(zhì)量。目前,電子束真空鍍鋁仍普遍用于微電子器件的生產(chǎn)上。