等離子體是如何產(chǎn)生的?PECvd是如何利用等離子體的?

   Si02作為保護膜時為什么需要采用低溫工藝?目前低溫⒊02工藝有哪些方法?它們降PMBS3904低制各溫度的原理是什么?

   比較同等摻雜濃度多晶硅和單晶硅電阻率的大小,解釋其不同的原因。

   制備中等濃度n型多晶硅通常采用什么工藝方法?

   PECvd法為何能在較低溫度淀積氮化硅薄膜?

   磁控濺射主要有哪幾種?特點是什么?

   一個抽速為2000L/min的工藝泵,不受進口處的壓力影響,泵由長10m、直徑為5cm的管道與真空室連接。如果預期的真空室壓力為1,0torr,用標準的升每分鐘單位來計算流入腔體的最大氣體流量(提示:Q=PS)。

   如果一個工藝過程依靠對硅片的離子轟擊,你會將硅片置于連接腔壁的電極上還是與腔壁隔離的電極上?

   一臺蒸鍍機有一個表面積為5cnl的坩堝,蒸發(fā)行星盤半徑為30cm。試求金的淀積速率為0,1nm/s時,所需的坩堝溫度。金的密度和原子量分別為18890kg/d和197。

   淀積薄膜的應力與其淀積溫度有關(guān)嗎?請解釋。

   解釋為什么薄膜應力與測量時薄膜的溫度有關(guān)?

   以鋁互連系統(tǒng)作為一種電路芯片的電連系統(tǒng)時,若分別采用真空蒸鍍和磁控濺射工藝淀積鋁膜,應分別從哪幾方面來提高其臺階覆蓋特性?