由于HF可以在室溫下與s02快速反應(yīng)而不會(huì)刻蝕~Sl基材或多晶硅,所以它是濕法刻蝕sO的最佳選擇。OM3805HE043EUM使用含有HF的溶液來進(jìn)行s02的濕法刻蝕時(shí),在上述反應(yīng)過程中,HF不斷消耗,因此反應(yīng)速率隨時(shí)間的增加而降低。為了避免這種現(xiàn)象的發(fā)生。通常在腐蝕液中加人一定的氟化氨作為緩沖劑(形成的腐蝕液稱為緩沖氫氟酸BHF)。氟化氨通過分解反應(yīng)產(chǎn)生HF,從而維持HF的恒定濃度。常用的配方為HF:N城F:H2O=3mI':6g△0mL,其中HF是媽%的濃氫氟酸。分解反應(yīng)產(chǎn)生的NH3以氣態(tài)被排除掉。

   影響刻蝕質(zhì)量的因素主要有以下幾點(diǎn)。

   ①黏附性光刻膠與⒊O2表面黏附良好,是保證刻蝕質(zhì)量的重要條件。黏附不良,刻蝕液沿界面的鉆蝕會(huì)使刻蝕圖形邊緣不齊,圖形發(fā)生變化,嚴(yán)重時(shí)使整個(gè)圖形遭到破壞。

   ②二氧化硅的性質(zhì)。不同方法生長的SCl具有不同的刻蝕特性。例如,濕氧氧化的s(九的刻蝕速率大于干氧氧化的刻蝕速率;低溫淀積生長的歟》的刻蝕速率比干氧和濕氧生長的sCD,都要大。

    ③二氧化硅中的雜質(zhì):實(shí)踐證明,二氧化硅層中雜質(zhì)的含量的不同會(huì)造成刻蝕速率的差異。如硼硅玻璃在HF緩沖劑刻蝕液中很難溶解;磷硅玻璃與光刻膠黏附性差,不耐刻蝕,易出現(xiàn)鉆蝕和脫膠等現(xiàn)象。

   ④刻蝕溫度�？涛g溫度對(duì)刻蝕速率影響很大。溫度越高,刻蝕速率越快,刻蝕⒊Q的溫度一般在30~40°C。溫度不宜過高或過低,溫度過高,刻蝕速率過快,不易控制,產(chǎn)生鉆蝕現(xiàn)象;溫度太低,刻蝕速率太慢,膠膜長期浸泡,易產(chǎn)生浮膠。

   ⑤刻蝕時(shí)問�？涛g時(shí)間取決于刻蝕速率和氧化層厚度,對(duì)它的控制是很重要的�？涛g時(shí)間太短,氧化層未刻蝕干凈,影響擴(kuò)散效果(或電極接觸不良);刻蝕時(shí)間過長會(huì)造成邊緣側(cè)向刻蝕嚴(yán)重,使分辨率降低,圖形變壞,尤其是光刻膠膜的邊緣存在過渡區(qū)時(shí),更易促使側(cè)蝕的進(jìn)行。