影響刻蝕工藝的因素分為外部因素和內(nèi)部因素。

   外部因素主要包括設(shè)備硬件的配置以及環(huán)境的溫度、濕度影響,對(duì)于操作人員來說,外部因M95512-WDW6TP素只能記錄,很難改變,要做好的就是優(yōu)化工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)比較理想的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

   內(nèi)部因素在設(shè)備穩(wěn)定的情況下對(duì)工藝結(jié)果起到?jīng)Q定性作用,以下所列因素對(duì)于刻蝕速率、形貌等均起到重要作用。

   ①工作壓力的選擇:對(duì)于不同的要求,工作壓力的選擇很重要,壓力取決于通氣量和泵的抽速,合理的壓力設(shè)定值可以增加對(duì)反應(yīng)速率的控制、增加反應(yīng)氣體的有效利用率等。

   ②R功率的選擇:RF功率的選擇可以決定刻蝕過程中物理轟擊所占的比重,對(duì)于刻蝕速率和選擇比起到關(guān)鍵作明。R「功率、反應(yīng)氣體的選擇和氣體通人的方式可以控制刻蝕過程為同步刻蝕或是KBCH工藝。

   ③℃P功率:It∶P功率對(duì)于氣體離化率起到關(guān)鍵作用,保證反應(yīng)氣體的充分利用,常用設(shè)備rP功率最大值為2500Wc在氣體流量一定的情況下,隨著rP功率的增加氣體離化率也相應(yīng)增加,但增加到一定程度時(shí).離化率趨向于飽和,此時(shí)再增加rP功率就會(huì)造成浪費(fèi)。

   ④襯底溫度和反應(yīng)室溫度:溫度控制對(duì)于襯底本身和掩膜(特別是膠掩膜)的意義重大,目前大多數(shù)設(shè)備采用的是氦氣冷卻襯底背面的方式,背面控制在⒛℃左右。

    ⑤反應(yīng)氣體的選擇和配比:以硅的刻蝕為例,刻蝕設(shè)備通了4路氣體SF6、C4F:、02和CF4。其中sF6和C4F:作為反應(yīng)氣體參與刻蝕過程,O2和CF4作為清洗氣體負(fù)責(zé)沒備的清洗過程。選擇合適的流量和氣體通人的時(shí)問比會(huì)在很大程度上影響刻蝕面的側(cè)壁形貌、反應(yīng)速率等。

    與GaN刻蝕比較:刻蝕Ⅲ、Ⅴ族化合物咐,還要盡量保持被刻蝕界面的化學(xué)平衡。另外,莨流偏壓的選擇、反射功率的控制、待刻蝕ln^科1的大小、蝕材料的差異等都會(huì)影響到刻蝕面的形貌和刻蝕速率,這些都是要考慮的重要因素:曾、而言之.沒有萬能的程序可以適用所有的要求。所有的因素都不是單一的,而是相互作冂相輔相成的。只有各項(xiàng)條件都相互匹配了才能得到比較理想的不同結(jié)果。