光刻膠除了在光刻過程中作為從光刻掩模板到襯底的圖形轉移媒介外,還可以HAT3004RJ-EL-E作為刻蝕時不需刻蝕區(qū)域的保護膜。當刻蝕完成后,光刻膠已經(jīng)不再有用,需要將其徹底去除,完成這一過程的△序就是去膠。此外,刻蝕過程中殘留的各種試劑也要清除掉。

   在集成電路工藝中,去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠,在濕法去膠中又分為有機溶液去膠和無機溶液去膠。

   使用有機溶液去膠,主要是使光刻膠溶于有機溶液中,從而達到去膠的日的。有機溶液去膠中使用的溶劑主要有丙酮和芳香族的有機溶劑。無機溶液去膠的原理是利用光刻膠本身是有機物的特點

(主要由碳和氫等元素構成的化合物),通過使用一些無機溶液(如H2SO{和H202等),將光刻膠中的碳元素氧化成為二氧化碳,這樣就可以把光刻膠從硅片的表面上去除。不過,由于無機溶液會腐蝕川,因此去除Al上的光刻膠必須使用有機溶液。

    干法去膠則是用等離子體將光刻膠剝除的。以使用氧等離子體為例,硅片上的光刻膠通過在氧等離子體中發(fā)生化學反應,生成的氣態(tài)的CO、C(D2和H20可以由真空系統(tǒng)抽走。相對于濕法去膠,干法去膠的效果更好,但是千法去膠存在反應殘留物的沾污問題,囚此干法去膠與濕法去膠經(jīng)常搭配進行。