光刻膠除了在光刻過程中作為從光刻掩模板到襯底的圖形轉(zhuǎn)移媒介外,還可以HAT3004RJ-EL-E作為刻蝕時不需刻蝕區(qū)域的保護(hù)膜。當(dāng)刻蝕完成后,光刻膠已經(jīng)不再有用,需要將其徹底去除,完成這一過程的△序就是去膠。此外,刻蝕過程中殘留的各種試劑也要清除掉。

   在集成電路工藝中,去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠,在濕法去膠中又分為有機(jī)溶液去膠和無機(jī)溶液去膠。

   使用有機(jī)溶液去膠,主要是使光刻膠溶于有機(jī)溶液中,從而達(dá)到去膠的日的。有機(jī)溶液去膠中使用的溶劑主要有丙酮和芳香族的有機(jī)溶劑。無機(jī)溶液去膠的原理是利用光刻膠本身是有機(jī)物的特點(diǎn)

(主要由碳和氫等元素構(gòu)成的化合物),通過使用一些無機(jī)溶液(如H2SO{和H202等),將光刻膠中的碳元素氧化成為二氧化碳,這樣就可以把光刻膠從硅片的表面上去除。不過,由于無機(jī)溶液會腐蝕川,因此去除Al上的光刻膠必須使用有機(jī)溶液。

    干法去膠則是用等離子體將光刻膠剝除的。以使用氧等離子體為例,硅片上的光刻膠通過在氧等離子體中發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成的氣態(tài)的CO、C(D2和H20可以由真空系統(tǒng)抽走。相對于濕法去膠,干法去膠的效果更好,但是千法去膠存在反應(yīng)殘留物的沾污問題,囚此干法去膠與濕法去膠經(jīng)常搭配進(jìn)行。