在基本的光刻工藝過程中,最終步驟是檢驗(yàn)。襯底在入射白光或紫外光下首先接受表面目檢,以HAT3006R-EL-E檢查污點(diǎn)和大的微粒污染。之后是顯微鏡檢驗(yàn)或白動(dòng)檢驗(yàn)來檢驗(yàn)缺陷和圖案變形。對于特定的光刻版級別的關(guān)鍵尺寸的測量也是最終檢驗(yàn)的一部分:付光刻質(zhì)量的檢測手段主要有以下幾種。

   1 顯微鏡目檢

   這種方法在微米、亞微米工藝中是普遍采用的。常見的光刻缺陷有:①掩模板上的圖形有缺陷(如鉻膜剝落、劃傷、臟污等)或曝光系統(tǒng)設(shè)備上的不穩(wěn)定(如透鏡缺陷、焦距異常等),就會(huì)在圖形

轉(zhuǎn)移時(shí)將缺陷也轉(zhuǎn)移到光刻膠圖形上。②硅片受到污染,表面有微粒;③涂膠、曝光、顯影條件發(fā)生變化,造成圖形畸變。如圖910所示為顯微鏡目檢示意圖。

   在深亞微米工藝中亻已逐漸采用全自動(dòng)圖像對比來檢查光刻膠圖形的缺陷,以取代人工作業(yè)。

   2線寬控制

   集成電路的圖形尺寸都是由設(shè)計(jì)準(zhǔn)則決定的,而特征尺寸(如柵極的長度)更是決定器件性能的重要參數(shù)指標(biāo)。因此,保證轉(zhuǎn)移到光刻膠膜上的圖形尺寸完全符合設(shè)計(jì)要求,就需要在光刻△藝的各道工序中找出最佳的工藝條件。在光刻流程中經(jīng)常要對線寬(指特征尺寸)進(jìn)行測量。測量值用統(tǒng)計(jì)學(xué)的標(biāo)準(zhǔn)差來表示,并制成圖表。倘若曲線走勢異常,就要馬上進(jìn)行干預(yù)。