在金屬化過程中,需要解決各種各樣的問題(如臺階覆蓋、電遷移等),使得金屬化工藝既能滿足電路性能要求,又能與集成電路制造工藝相容。制造工藝技HAT3004RJ-EL-E術(shù)中常用的金屬材料很多,但是能滿足要求的金屬是鋁,它已廣泛地應(yīng)用到雙極和MOS集成電路中。鋁的電阻率很低,能滿足歐姆接觸低阻的要求,與各種絕緣膜附著性好,又易于沉積和刻蝕等特點(diǎn)。但是鋁也有缺點(diǎn),主要是電遷移問題,硅在鋁 中的擴(kuò)散引起在AlSi界面向硅中楔進(jìn)以及耐腐蝕性差等問題。因此出現(xiàn)了AlSi、AlSCu、AlCu合金,Pl―Si/Si,Pd―si/si、W/Si界面,△W、△N擴(kuò)散阻擋層以及難熔金屬或難熔金屬硅化物、多晶硅/硅化物復(fù)合材料互連等。在集成電路中對器件內(nèi)部的互連金屬導(dǎo)電薄膜的要求如下:

   (1)歐姆接觸,金屬薄膜必須能夠與N+型硅、蘆型硅及Poly(聚酯纖維)形成低阻的歐姆接觸;

   (2)電導(dǎo)率,要求電流在膜中的損失很小,具有高電導(dǎo)率,能夠傳導(dǎo)大電流密度;