在硅槽形成以后,進(jìn)行氧化已在槽內(nèi)形成一層“襯里”,接下來(lái)通過(guò)CVD的方法在槽內(nèi)填充氧化物(厚度稍微超過(guò)槽的深度)并且進(jìn)行快速熱退火(RTA)使CVD沉積的氧化物更加堅(jiān)硬。在這之后通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)的方式使得表面平坦化,隨后去除殘余的氮化硅和二氧化硅。 A2003G接下來(lái),在表面生長(zhǎng)一層新的熱氧化層(被稱作犧牲氧化層或SAC ox)。相對(duì)于以前的LPCVD沉積氧化物工藝,高離子密度(HDP)CVD有更好的間隙填充能力,因此被廣泛地用于現(xiàn)代CMOS制造工藝(例如0.13um節(jié)點(diǎn)及更新的技術(shù))。

  阱和″阱的形成如,包括掩模形成和穿過(guò)薄犧牲氧化層(SAGox)的離子注人。⒈阱和廣阱的形成順序?qū)ψ罱K晶體管的性能影響很小。后面會(huì)在ll阱中形成PMC)S,在「阱中形成NMOS,因此,⒈阱和Γ阱的離子注入通常是多路徑的(不同的能量/劑量和種類),這些注人不僅用于阱的形成,同時(shí)也用于PMOS和NMOS閾值電壓V1的調(diào)整和防止穿通。阱離子注人后使用RTA激活雜質(zhì)離子推進(jìn)雜質(zhì)深度。當(dāng)核心區(qū)域和I/O區(qū)域都已經(jīng)生長(zhǎng)了晶體管以后,沉積多晶硅層和硬掩模層(薄的⒏ON和PECVD二氧化硅)。在沉積了柵層疊之后,將硬掩模進(jìn)行圖形化(使用掩模poly,并用對(duì)多晶硅表面有高選擇性的離子刻蝕二氧化硅和s()N),然后去除光刻膠,使用Si()N和二氧化

硅做硬掩�？涛g多晶硅。去除⒏ON以后,使用氧化爐或快速熱氧化(RTO)形成多晶硅柵層疊側(cè)壁的再氧化(30A),來(lái)對(duì)氧化物中的損傷和缺陷進(jìn)行退火(對(duì)柵層疊的離子刻蝕可能導(dǎo)致?lián)p傷或缺陷)。因?yàn)闁诺男螤顩Q定了晶體管溝道的長(zhǎng)度,也即決定了CMOS節(jié)點(diǎn)中的最小臨界尺寸(CD),因此它需要硬掩模方案而不是光刻膠圖形化方案來(lái)對(duì)柵層疊進(jìn)行圖形化,以期獲得更好的分辨率和一致性。

   兩次柵氧化的結(jié)果使得I/O晶體管的柵氧較厚(沒(méi)有在這里顯示出來(lái))而核心晶體管的柵氧較薄。相對(duì)于簡(jiǎn)單的光刻膠圖形化方案,硬掩模方案可以獲得更好的分辨率和一致性。

   補(bǔ)償隔離的形成。沉積一薄層氮化硅或氮氧硅(典型的厚度為50至150A),然后進(jìn)行回刻蝕,在柵的側(cè)壁上形成一薄層隔離。補(bǔ)償隔離用來(lái)隔開(kāi)由于LDD離子注人(為了減弱段溝道效應(yīng))引起的橫向擴(kuò)散;對(duì)于90nm CMOS節(jié)點(diǎn),這是-個(gè)可以選擇的步驟,但對(duì)于65nm和45nm節(jié)點(diǎn),這一步是必要的。在補(bǔ)償隔離刻蝕后,剩下的氧化層厚度為~90A,在硅表面保留一層氧化層對(duì)于后續(xù)每步工藝中的保護(hù)而言是十分重要的。