如前所述,為了解決曝光視場尺寸和鏡頭成本的矛盾,在光刻曝光設(shè)備上的發(fā)展是使用了一種稱為步進掃描投影光刻的技術(shù)。步進掃描光學光刻系統(tǒng)是一種混合設(shè)備,融合了掃描投影光刻機和分步重復(fù)光刻機技術(shù),M74HC4538TTR是通過使用縮小透鏡掃描一個大曝光場圖像到硅片上的一部分實現(xiàn)的。一束聚焦的狹長光帶同時掃過掩模板和硅片。步進掃描光刻機(如圖10-34所示)的標準曝光場子尺寸是26mm×33mm,使用6英寸投影掩膜。一旦掃描和圖形轉(zhuǎn)印過程結(jié)束,硅片就會步進到下一個曝光區(qū)域重復(fù)掃描過程。

   使用步進掃描投影光刻機曝光硅片的優(yōu)點是增大了曝光場,可以獲得較大的芯片尺寸。透鏡視場只要是一個細長條形就可以了,就像較早的整片掃描投影光刻機那樣。在步進到下一個位置前,它

通過一個小的,校正好的26mm×33mm像場掃描一個縮小的掩模板(通常是4倍)。大視場的另一個主要優(yōu)點是有機會在投影掩模板上多放幾個圖形,因而一次曝光可以多曝光些芯片。