在曝光過(guò)程的每一步,這種步進(jìn)光刻機(jī)都會(huì)依次把投影掩模板圖形通過(guò)投影透鏡聚焦到硅片下一個(gè)位置并重復(fù)全部過(guò)程。通過(guò)繼續(xù)這個(gè)過(guò)程,步進(jìn)光刻機(jī)最終會(huì)通過(guò)連續(xù)的曝光步驟把所有芯片

陣列復(fù)制到硅片表面。 M74HC4060TTR由于步進(jìn)光刻機(jī)一次只曝光硅片的一小部分(例如,對(duì)于一個(gè)較大的微處理器芯片,在硅片上一個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)只有一個(gè)芯片),所以對(duì)硅片平整度和幾何形狀變化的補(bǔ)償變得容易。

   步進(jìn)光刻機(jī)使用傳統(tǒng)的汞燈照明光源(對(duì)于G線波長(zhǎng)是436nm,H線波長(zhǎng)是4O5nm,I線波長(zhǎng)是365nm),線寬可以小到0.35um。為了獲得248nm深紫外波長(zhǎng)的光源,汞燈被KrF準(zhǔn)分子激光器所取代,使這種設(shè)備能夠形成0.25um線寬的圖形。通常深紫外步進(jìn)光刻機(jī)用于形成關(guān)鍵層的圖形,而傳統(tǒng)的I線曝光方法用于非關(guān)鍵層。這種混合匹配式光刻方法用來(lái)減少生產(chǎn)成本。

   隨著關(guān)鍵尺寸的減小和硅片尺寸的增加,提出了增大曝光場(chǎng)尺寸和改進(jìn)光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的要求。這反過(guò)來(lái)要求更加復(fù)雜的光刻透鏡的設(shè)計(jì)和制造,單個(gè)光刻機(jī)中透鏡系統(tǒng)的費(fèi)用就超過(guò)100萬(wàn)美元。這個(gè)費(fèi)用把傳統(tǒng)分步重復(fù)式曝光場(chǎng)范圍限制為22mm×22mm。為了克服這些問(wèn)題,一種進(jìn)化的步進(jìn)光刻機(jī)――步進(jìn)掃描光刻機(jī)已經(jīng)在0,25um及以下的深紫外光刻中占據(jù)主導(dǎo)地位。