刻蝕速率

   刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速率,通常用A/min表示。為了提OP291G高產(chǎn)量,希望有高的刻蝕速率。在采用單片工藝的設(shè)備中,這是一個(gè)很重要的參數(shù)�？涛g速率由工藝和設(shè)備變量決定,如被刻蝕材料類型、刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、使用的刻蝕氣體和△藝參數(shù)設(shè)置等。

   T為去掉的材料厚度(A或um);r為刻蝕所用的時(shí)間(血ll,。

刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。硅片表面幾何形狀等因素能影響硅片與硅片之間的刻蝕速率。要刻蝕硅片表面的大面積區(qū)域,則會(huì)耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來;如果刻蝕的面積比較、則刻蝕就會(huì)快些,這稱為負(fù)載效應(yīng)。刻蝕速率的減小是由于在等離子體刻蝕反應(yīng)過程中會(huì)消耗大部分的氣相刻蝕劑。由于負(fù)載效應(yīng)帶來的刻蝕速率的變化是使有效的終點(diǎn)檢測(cè)變得非常重要的最主要原因。影響刻蝕速率的主要因素包括:離子能量和人射角、氣體成分、氣體流速和其它影響因素等。