干法刻蝕不像濕法刻蝕那樣有很高的選擇比,過度的刻蝕可能會損傷下一層的材料,因此刻ICL7642ECPD蝕時間就必須準(zhǔn)確無誤地掌握。另外,機器的情況(如氣體流量、溫度、被刻蝕材料批次的差異等)不肖微改變,都會影響刻蝕時間的控制,因此必須經(jīng)常檢查刻蝕速率的變化,以確�？涛g的可重復(fù)性。通過使用終點檢測器可以計算出刻蝕結(jié)束的準(zhǔn)確時間,進而準(zhǔn)確地控制過度刻蝕的時間,以確保多次刻蝕的重復(fù)性。

   常見的終點檢測(End Pollt Detecu。l1|方法有3種:發(fā)射光譜分析(Op證d Emis蚯ol△Spedrosco-py,oES)、激光干涉測量(I'aser Interfero∏letW)和質(zhì)譜分析(Mass Spcct∞scopy)。

   發(fā)射光譜分析

   發(fā)射光譜分析是通過檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達到終點檢測的目的。要檢測的光線的激發(fā)是由于等離子體中的原子或分子被激發(fā)到某種激發(fā)態(tài)(Exoted⒏臟e),再返回到低能量

狀態(tài)時,所伴隨發(fā)生的光發(fā)射。此光線可從刻蝕腔壁上的開窗觀測。不同原子激發(fā)的光波長不同,光線強度的變化反映了等離子體中原子或分子濃度的變化。欲探測波長的選擇有兩種方式:一是應(yīng)

物在刻蝕終點時光強度增加,二是反應(yīng)物在刻蝕終點時光強度減小。如表112所示為發(fā)射光譜分析常用的氣體原子或分子的特征光波長。

   發(fā)射光譜分析常用的氣體原子或分子的特征光波長 發(fā)射光譜分析是最常用的終點檢測器,因為它可以很容易地加在刻蝕設(shè)備上面而不影響刻蝕的進行,同時它還可以靈敏地探測反應(yīng)過程的微小變化以及提供有關(guān)刻蝕反應(yīng)過程中許多有用的信息.另外,它也有一些缺點和限制:一是光強度正比于刻蝕速率,所以對刻蝕速率較慢的刻蝕而言將變得難以檢測;二是當(dāng)刻蝕面積很小時,信號強度不足而使終點檢測失敗,如so2接觸窗的刻蝕。