互連材料是指將同一芯片內(nèi)的各個獨立的元器件連接成為具有一定功能的電路模塊;接觸材ICS91730AMLFT料是指直接與半導(dǎo)體材料接觸的材料.以及提供與外部相連的連接點;MC)sFET柵電極材料作為MOSFET器件的一個組成部分,對器件的性能起著重要作用。

   對互連金屬材料,首先要求電阻率要小,其次要求易于淀積和刻蝕,還要有好的抗電遷移特性以適應(yīng)集成電路技術(shù)進一步發(fā)展的需要。使用最為廣泛的互連金屬材料是鋁,目前在ULSI中銅作為一種新的互連金屬材料得到了越來越廣泛的運用。

    對于與半導(dǎo)體接觸的金屬材料,因為直接接觸,要有良好的金屬/半尋體接觸特性,即要有好的接觸界面性和穩(wěn)定性,接觸電阻要小,在半導(dǎo)體材料中的擴散系數(shù)要小,在后續(xù)加工中與半導(dǎo)體材料有好的化學(xué)穩(wěn)定性。另外,該材料的引入不會導(dǎo)致器件失效也是非常重要的。鋁是一種常用的接觸材料,但目前應(yīng)用較廣泛的接觸材料是硅化物,如鉑硅(PtSi)和鈷硅(CoSi2)等。

     對柵電極材料的主要要求是:與柵氧化層之間具有良好的界面特性和穩(wěn)定性;具有合適的功函數(shù),以滿足nMOs與pMC)S閾值電壓對稱的要求。在早期nMOs集成電路工藝中,使用較多的是鋁柵。由于多晶硅可通過改變摻雜調(diào)節(jié)功函數(shù),與柵氧化層又具有很好的界面特性,多晶硅柵工藝還具有源漏自對準(zhǔn)等待點,使其成為目前CMC)S集成電路I藝技術(shù)中最常用的柵電極材料。