互連材料是指將同一芯片內的各個獨立的元器件連接成為具有一定功能的電路模塊;接觸材ICS91730AMLFT料是指直接與半導體材料接觸的材料.以及提供與外部相連的連接點;MC)sFET柵電極材料作為MOSFET器件的一個組成部分,對器件的性能起著重要作用。

   對互連金屬材料,首先要求電阻率要小,其次要求易于淀積和刻蝕,還要有好的抗電遷移特性以適應集成電路技術進一步發(fā)展的需要。使用最為廣泛的互連金屬材料是鋁,目前在ULSI中銅作為一種新的互連金屬材料得到了越來越廣泛的運用。

    對于與半導體接觸的金屬材料,因為直接接觸,要有良好的金屬/半尋體接觸特性,即要有好的接觸界面性和穩(wěn)定性,接觸電阻要小,在半導體材料中的擴散系數要小,在后續(xù)加工中與半導體材料有好的化學穩(wěn)定性。另外,該材料的引入不會導致器件失效也是非常重要的。鋁是一種常用的接觸材料,但目前應用較廣泛的接觸材料是硅化物,如鉑硅(PtSi)和鈷硅(CoSi2)等。

     對柵電極材料的主要要求是:與柵氧化層之間具有良好的界面特性和穩(wěn)定性;具有合適的功函數,以滿足nMOs與pMC)S閾值電壓對稱的要求。在早期nMOs集成電路工藝中,使用較多的是鋁柵。由于多晶硅可通過改變摻雜調節(jié)功函數,與柵氧化層又具有很好的界面特性,多晶硅柵工藝還具有源漏自對準等待點,使其成為目前CMC)S集成電路I藝技術中最常用的柵電極材料。