氧化硅膜的擊穿特性是MCE器件柵氧化膜和集成電路層間絕緣的電學(xué)特性和可靠性的一個(gè)重要量度。M430F112熱生長(zhǎng)的sC先膜擊穿強(qiáng)度為(2~10)×10,但實(shí)際測(cè)得擊穿電壓要低,而且分散很大,這是由不同的擊穿機(jī)理決定的。⒊Q膜的擊穿機(jī)理大致分為=種:本征擊穿、雜質(zhì)擊穿和缺陷擊穿。擊穿電壓測(cè)試采用MOs結(jié)構(gòu)電容器。用晶體管特性圖示儀觀測(cè)⒏02膜的Iy特性,確定擊穿點(diǎn);定義一個(gè)⒏O2膜的傳導(dǎo)電流(如1uA)作為擊穿發(fā)生點(diǎn),相應(yīng)的電壓作為擊穿電壓。采用這種定義方式,雖然不一定得到真正的擊穿電壓值,但很適于作為柵氧化層擊穿特性和工藝合格率的一個(gè)判據(jù),而且適于微電子測(cè)試圖形的自動(dòng)測(cè)試。此法與MOS結(jié)構(gòu)測(cè)試針孔的方法類(lèi)似,但一般定義的針孔測(cè)試電流要小一些,電極面積也應(yīng)小一些。

   4GV測(cè)量技術(shù)

   GV測(cè)量技術(shù)廣泛用于S√Si02界面性質(zhì)的研究,高頻GV法已成為MOS工藝常規(guī)監(jiān)測(cè)手段。可以測(cè)量固定電荷密度、Nf密度等。