工藝設(shè)備:雙管3英寸高溫?cái)U(kuò)散爐,晶體管特性圖示儀,探針臺(tái),源瓶,控溫儀,氣體流量計(jì),石英舟,氧氣瓶,氮?dú)馄俊?a title="FFSH20120ADN_F155" href=" http://www.hqwq.cn/stock_F/FFSH20120ADN_F155.html">FFSH20120ADN_F155

   試劑:磷陶瓷源片(P2O:),硅膠干燥劑,分析純HF。

   烘源:爐溫1150℃;氮?dú)饬髁?.5L/min,時(shí)間20min。

   磷主擴(kuò)散:爐溫1150℃,氮?dú)饬髁繛?.5L/min,時(shí)間在15~⒛min之間。

   三氧:爐溫975℃;氧氣流量為0.5L/llll n,時(shí)間為511・1n干氧→25min濕氧→10min干氧。

    磷擴(kuò)散前準(zhǔn)備

   1磷源準(zhǔn)備

   P205源片無(wú)須活化,使用前應(yīng)進(jìn)行烘源,通常是在磷擴(kuò)散溫度將其推至擴(kuò)散爐恒溫區(qū),通人氮?dú)?/span>1L/min、約20min,將烘好的P205源片從爐中拉出放在爐口,待用。

   2陪片準(zhǔn)備

   用切片機(jī)切割出已光刻發(fā)射區(qū)的硅片(和正片應(yīng)全同)作為陪片,為節(jié)省起見(jiàn)每個(gè)陪片只需含幾個(gè)管心即可。陪片與正片一起清洗,烘干后,待用。

   3硅片清洗

   硅片清洗方法和硼擴(kuò)散前的清洗相同。

   注意:同樣不可將濕硅片放置在有磷源的石英舟上,磷源比硼源更易受潮變形、失效。