光刻腐蝕發(fā)射區(qū)窗口是二次光刻,光刻方法與一次光刻基本相同。注意:曝光前要進(jìn)行對版。發(fā)射區(qū)掩蔽膜圖形如圖A-7所示。

   思考題:

   (1)二次光刻與一次光刻有什么不同?注意在顯微鏡下觀察,窗口的臺階可否看見?臺階說明什么?FFPF15S60STU

   (2)光刻發(fā)射區(qū)時哪種光刻缺陷對器件性能的影響最大?為什么?

A.9 磷擴(kuò)散 在雙極型晶體管中磷擴(kuò)散目的是為了形成發(fā)射區(qū),磷擴(kuò)散還是采取固態(tài)源開管兩步式擴(kuò)散工藝,固態(tài)源為含P205的陶瓷源片。

   第一步擴(kuò)散――磷主擴(kuò)散,在氮氣保護(hù)下,高溫將一定劑量的磷源擴(kuò)散到發(fā)射區(qū)并達(dá)一定深度,基本上完成對雜質(zhì)分布的控制。

   第二步擴(kuò)散――三氧,在氧氣氛條件下,發(fā)射區(qū)窗口熱生長氧化層作為鋁電極引線的掩膜。三氧爐溫應(yīng)低于主擴(kuò)散,但仍較高,對基區(qū)寬度和晶體管電流放大倍數(shù)(`值)的調(diào)整起一定作用。磷擴(kuò)散工藝參數(shù)由值確定,通過測量`值確定工藝條件。