電場與磁場
發(fā)布時(shí)間:2017/6/5 20:03:40 訪問次數(shù):1039
電場(E場)產(chǎn)生于兩個(gè)具有不同電位的導(dǎo)體之間。電場的單位為m/Ⅴ,電場強(qiáng)度C0805C225K4RACAUTO正比于導(dǎo)體之問的電壓,反比于兩導(dǎo)體間的距離。磁場(Ⅱ場)產(chǎn)生于載流導(dǎo)體的周圍,磁場的單位為砌饑,磁場正比于電流,反比于離開導(dǎo)體的距離。當(dāng)交變電壓通過網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)體產(chǎn)生交變電流時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁(EM)波,E場和Π場互為正交同時(shí)傳播,如圖1.13所示。
電磁場的傳播速度由媒體決定;在自由空間等于光速3×10:m/s。在靠近輻射源時(shí),電磁場的幾何分布和強(qiáng)度由干擾源特性決定,僅在遠(yuǎn)處是正交的電磁場。當(dāng)干擾源的頻率較高時(shí),干擾信號的波長又比被干擾的對象結(jié)構(gòu)尺寸小,或者干擾源與被干擾者之間的距離時(shí),則干擾信號可以認(rèn)為是輻射場即遠(yuǎn)場,它以平面電磁波形式向外輻射電磁場能量進(jìn)人被干擾對象的通路。干擾信號以泄漏和耦合形式,通過絕緣支撐物等(包括空氣)為媒介,經(jīng)公共阻抗的耦合進(jìn)人被干擾的線路、設(shè)備或系統(tǒng)。當(dāng)干擾源的頻率較低時(shí),干擾信號的波長入比被干擾對象的結(jié)構(gòu)尺寸長,或者干擾源與干擾對象之間的距離,則干擾源可以認(rèn)為是近場,它以感應(yīng)場形式進(jìn)入被干擾對象的通路。近場耦合用電路的形式來表達(dá)就是電容和電感,電容代表電場耦合關(guān)系,電感或互感代表磁場耦合關(guān)系。這樣輻射干擾信號可以通過直接傳導(dǎo)方式引人線路、設(shè)備或系統(tǒng)。圖1.14是輻射場中近場、遠(yuǎn)場、磁場、電場與波阻抗的關(guān)系圖。
若刈于30MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在I。5m;對于300MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在150mm;對于⒛0MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在50mm。
電場(E場)產(chǎn)生于兩個(gè)具有不同電位的導(dǎo)體之間。電場的單位為m/Ⅴ,電場強(qiáng)度C0805C225K4RACAUTO正比于導(dǎo)體之問的電壓,反比于兩導(dǎo)體間的距離。磁場(Ⅱ場)產(chǎn)生于載流導(dǎo)體的周圍,磁場的單位為砌饑,磁場正比于電流,反比于離開導(dǎo)體的距離。當(dāng)交變電壓通過網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)體產(chǎn)生交變電流時(shí),會(huì)產(chǎn)生電磁(EM)波,E場和Π場互為正交同時(shí)傳播,如圖1.13所示。
電磁場的傳播速度由媒體決定;在自由空間等于光速3×10:m/s。在靠近輻射源時(shí),電磁場的幾何分布和強(qiáng)度由干擾源特性決定,僅在遠(yuǎn)處是正交的電磁場。當(dāng)干擾源的頻率較高時(shí),干擾信號的波長又比被干擾的對象結(jié)構(gòu)尺寸小,或者干擾源與被干擾者之間的距離時(shí),則干擾信號可以認(rèn)為是輻射場即遠(yuǎn)場,它以平面電磁波形式向外輻射電磁場能量進(jìn)人被干擾對象的通路。干擾信號以泄漏和耦合形式,通過絕緣支撐物等(包括空氣)為媒介,經(jīng)公共阻抗的耦合進(jìn)人被干擾的線路、設(shè)備或系統(tǒng)。當(dāng)干擾源的頻率較低時(shí),干擾信號的波長入比被干擾對象的結(jié)構(gòu)尺寸長,或者干擾源與干擾對象之間的距離,則干擾源可以認(rèn)為是近場,它以感應(yīng)場形式進(jìn)入被干擾對象的通路。近場耦合用電路的形式來表達(dá)就是電容和電感,電容代表電場耦合關(guān)系,電感或互感代表磁場耦合關(guān)系。這樣輻射干擾信號可以通過直接傳導(dǎo)方式引人線路、設(shè)備或系統(tǒng)。圖1.14是輻射場中近場、遠(yuǎn)場、磁場、電場與波阻抗的關(guān)系圖。
若刈于30MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在I。5m;對于300MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在150mm;對于⒛0MHz,平面波的轉(zhuǎn)折點(diǎn)在50mm。
上一篇:正確的EMI診斷方法
上一篇:天線檢測信號的方法
熱門點(diǎn)擊
- 基本光刻工藝流程
- 用萬用表檢測繼電器常開、常閉觸點(diǎn)的方法
- 摻雜濃度及雜質(zhì)類型對氧化速率的影響
- 源阻抗模擬網(wǎng)絡(luò)LIsN內(nèi)部原理
- Ⅴ族施主雜質(zhì)在硅中的電離能很小
- 填隙式擴(kuò)散
- 風(fēng)云三號(FY-3)衛(wèi)星
- 刻蝕均勻性
- LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速
- 掩模板的基本構(gòu)造及質(zhì)量要求
推薦技術(shù)資料
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究