傳導測試時,電纜及殼體產(chǎn)生輻射
發(fā)布時間:2017/6/7 21:12:08 訪問次數(shù):633
根據(jù)電磁理論,環(huán)路既可以成為輻射必要條件中的天線,也可以成為接收干擾的環(huán)路接收天線。 AC49008-CB當環(huán)路中的磁通發(fā)生變化時,將在環(huán)路中感應出電流,其大小與閉環(huán)面積成正比,而且對于特定大小的環(huán)路,環(huán)路接收天線將在特定的頻率上產(chǎn)生諧振。當圖2.16中的大環(huán) 路有感應電流時,必定增大流過ⅡSN中9~sΩ電阻的電流,即LISN檢測到更大的傳導騷擾。
傳導騷擾測試在屏蔽室中進行。環(huán)路接收的干擾是從哪里來的呢?實際上來自Et″通過其殼體和信號電纜產(chǎn)生的輻射,如圖2.17所示(測試中已經(jīng)排除外界及輔助設(shè)備的影響)。
圖2.17 傳導測試時,電纜及殼體產(chǎn)生輻射的示意圖
根據(jù)電磁理論,環(huán)路既可以成為輻射必要條件中的天線,也可以成為接收干擾的環(huán)路接收天線。 AC49008-CB當環(huán)路中的磁通發(fā)生變化時,將在環(huán)路中感應出電流,其大小與閉環(huán)面積成正比,而且對于特定大小的環(huán)路,環(huán)路接收天線將在特定的頻率上產(chǎn)生諧振。當圖2.16中的大環(huán) 路有感應電流時,必定增大流過ⅡSN中9~sΩ電阻的電流,即LISN檢測到更大的傳導騷擾。
傳導騷擾測試在屏蔽室中進行。環(huán)路接收的干擾是從哪里來的呢?實際上來自Et″通過其殼體和信號電纜產(chǎn)生的輻射,如圖2.17所示(測試中已經(jīng)排除外界及輔助設(shè)備的影響)。
圖2.17 傳導測試時,電纜及殼體產(chǎn)生輻射的示意圖
熱門點擊
- 基本光刻工藝流程
- 用萬用表檢測繼電器常開、常閉觸點的方法
- 摻雜濃度及雜質(zhì)類型對氧化速率的影響
- 源阻抗模擬網(wǎng)絡LIsN內(nèi)部原理
- Ⅴ族施主雜質(zhì)在硅中的電離能很小
- 填隙式擴散
- 刻蝕均勻性
- LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蝕速
- 掩模板的基本構(gòu)造及質(zhì)量要求
- APCVD工藝主要用于二氧化硅薄膜的制備
推薦技術(shù)資料
- 650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先8英寸硅基氮化鎵技術(shù)工
- 新一代600V超級接面MOSFET KP38
- KEC 第三代SuperJunction M
- KEC半導體650V碳化硅(SiC)肖特基二
- Arrow Lake U 系列
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應用研究