濾波電路原理
發(fā)布時(shí)間:2017/6/20 20:47:05 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):404
【處理措施】
如圖4.55所示的濾波電路原理圖中,在共模電感兩側(cè),分別有一個(gè)對(duì)地共模電容,表面看來(lái)沒(méi)有什么不妥之處,但從另外一個(gè)角度來(lái)看,兩個(gè)電容之間形成了另一個(gè)通路, R82EC3100DQ70JB即裝置內(nèi)部的干擾信號(hào)通過(guò)電容CY1回到電源端口,旁路了應(yīng)該發(fā)揮共模電流抑制作用的共模電感M而使傳導(dǎo)騷擾失敗,按以上原理分析,只要去掉共模電感前端的Y電容Cu,就可以使本案例中的產(chǎn)品傳導(dǎo)騷擾測(cè)試通過(guò),并保持有一定的裕量。
【思考與啟示】
一味地接地或增加濾波器件并不是抑制電源端口共模傳導(dǎo)騷擾的方法,傳導(dǎo)騷擾的本質(zhì)是騷擾電流(包括共模與差模,高頻時(shí)以共模電流為主)流過(guò)ⅡSN,通過(guò)濾波電路或接地改變騷擾電流的流向,不讓騷擾電流流向LIsN,并盡量較小流向ⅡsN的騷擾電流的大小才
是正確的產(chǎn)品傳導(dǎo)騷擾抑制設(shè)計(jì)的指導(dǎo)思路。雖然本案例是通過(guò)去除CⅥ來(lái)解決傳導(dǎo)騷擾的問(wèn)題,但是并非說(shuō)圖4。甾所示的濾波電路設(shè)計(jì)是個(gè)錯(cuò)誤。前面對(duì)流向LISN的共模電流fLIsN是基于產(chǎn)品接地阻抗較高的軟塑料外殼產(chǎn)品、Cv電容濾波較為理想(即Cv兩端壓降在某頻率下接近于零)、共模電流幾M主要是從參考接地板返回到產(chǎn)品內(nèi)部的情況下的,實(shí)際上圖4.58或圖4。~sg中~A/B點(diǎn)到參考接地板之間的共模電壓不但與PE接地線(xiàn)及其上的共模電流大小有關(guān),還與Cˇ的阻抗有關(guān)。實(shí)際產(chǎn)品中C⒚不可能做到非常低的阻抗,即C⒚兩端存在共模電壓降Δy。此時(shí),圖4.⒆(b)的共模等效電路原理圖,可以轉(zhuǎn)化為如圖4.61所示的C⒚兩端存在共模電壓降Δy導(dǎo)致傳導(dǎo)騷擾問(wèn)題的原理圖。
【處理措施】
如圖4.55所示的濾波電路原理圖中,在共模電感兩側(cè),分別有一個(gè)對(duì)地共模電容,表面看來(lái)沒(méi)有什么不妥之處,但從另外一個(gè)角度來(lái)看,兩個(gè)電容之間形成了另一個(gè)通路, R82EC3100DQ70JB即裝置內(nèi)部的干擾信號(hào)通過(guò)電容CY1回到電源端口,旁路了應(yīng)該發(fā)揮共模電流抑制作用的共模電感M而使傳導(dǎo)騷擾失敗,按以上原理分析,只要去掉共模電感前端的Y電容Cu,就可以使本案例中的產(chǎn)品傳導(dǎo)騷擾測(cè)試通過(guò),并保持有一定的裕量。
【思考與啟示】
一味地接地或增加濾波器件并不是抑制電源端口共模傳導(dǎo)騷擾的方法,傳導(dǎo)騷擾的本質(zhì)是騷擾電流(包括共模與差模,高頻時(shí)以共模電流為主)流過(guò)ⅡSN,通過(guò)濾波電路或接地改變騷擾電流的流向,不讓騷擾電流流向LIsN,并盡量較小流向ⅡsN的騷擾電流的大小才
是正確的產(chǎn)品傳導(dǎo)騷擾抑制設(shè)計(jì)的指導(dǎo)思路。雖然本案例是通過(guò)去除CⅥ來(lái)解決傳導(dǎo)騷擾的問(wèn)題,但是并非說(shuō)圖4。甾所示的濾波電路設(shè)計(jì)是個(gè)錯(cuò)誤。前面對(duì)流向LISN的共模電流fLIsN是基于產(chǎn)品接地阻抗較高的軟塑料外殼產(chǎn)品、Cv電容濾波較為理想(即Cv兩端壓降在某頻率下接近于零)、共模電流幾M主要是從參考接地板返回到產(chǎn)品內(nèi)部的情況下的,實(shí)際上圖4.58或圖4。~sg中~A/B點(diǎn)到參考接地板之間的共模電壓不但與PE接地線(xiàn)及其上的共模電流大小有關(guān),還與Cˇ的阻抗有關(guān)。實(shí)際產(chǎn)品中C⒚不可能做到非常低的阻抗,即C⒚兩端存在共模電壓降Δy。此時(shí),圖4.⒆(b)的共模等效電路原理圖,可以轉(zhuǎn)化為如圖4.61所示的C⒚兩端存在共模電壓降Δy導(dǎo)致傳導(dǎo)騷擾問(wèn)題的原理圖。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 硼擴(kuò)散為什么采用兩步擴(kuò)散工藝
- 用來(lái)測(cè)量正弦交流電壓的有效值
- 濕法刻蝕
- LPCVD的工藝溫度通常是控制在表面反應(yīng)限制
- DC/DC電源輸入/輸出端口出現(xiàn)
- 電子束曝光
- 前烘
- 鐵氧體磁環(huán)與EFT/B抗擾度
- 快速退火方式
- 有以下三種方式可以改進(jìn)該輻射問(wèn)題:
推薦技術(shù)資料
- 按鈕與燈的互動(dòng)實(shí)例
- 現(xiàn)在趕快去看看這個(gè)目錄卞有什么。FGA15N120AN... [詳細(xì)]
- RA Arm Cortex-M
- 110V, 75A RMS集成
- 微型C語(yǔ)言可編程處理器技術(shù)參數(shù)
- iNEMO系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP
- 首款 EVC 技術(shù)ST31N
- 嵌入式Flash技術(shù)制造ST54L芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究