最早,刻蝕技術(shù)是利用特定溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來去除被刻蝕部分而達(dá)到刻蝕的目的,這種刻蝕方式也就是所謂的濕法刻蝕技術(shù)。OB2211CPA濕法刻蝕的優(yōu)點是I藝、設(shè)備簡單.而且成本低、產(chǎn)能高,具有良好的刻蝕選擇比c但是,因為濕法刻蝕是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除的,而化學(xué)反應(yīng)本身并不具有方向性,所以濕法刻蝕屬于各向同性的刻蝕。各向同性刻蝕是濕法刻蝕的固有特點,也可以說是濕法刻蝕的缺點。濕法刻蝕通常還會使位于光刻膠邊緣下面的薄膜材料也被刻蝕,這也會使刻蝕后的線條寬度難以控制。選擇合適的刻蝕速率,可以減小對光刻膠邊緣下面薄膜的刻蝕。

   濕法刻蝕大概可分為3個步驟:①反應(yīng)物質(zhì)擴散到被刻蝕薄膜的表面;②反應(yīng)物與被刻蝕薄膜反應(yīng);③反應(yīng)后的產(chǎn)物從刻蝕表面擴散到溶液中,并隨溶液排出c在這3個步驟中,一般進(jìn)行最慢的是反應(yīng)物與被刻蝕薄膜反應(yīng)的步驟,也就是說,該步驟的進(jìn)行速率即是刻蝕速率。

   濕法刻蝕的進(jìn)行,通常先利用氧化劑(如s和ˉkl刻蝕時的HN03)將被刻蝕材料氧化成氧化物(如Si():和Λ圮03),再利用另一種溶劑(如s刻蝕中的HF和Al刻蝕中的H3PC)1)將形成的氧化層溶解并隨溶液排出。如此便可達(dá)到刻蝕的效果。

   雖然濕法刻蝕已大部分被干法刻蝕所取代,但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用方面仍然起著重要的作用。濕法清洗實際上也可以看做是一個濕法刻蝕過程,如在接觸孔制作中,用于去除反應(yīng)離子刻蝕帶來的殘留物和損傷的硅層。有關(guān)殘留物的去除是使用順流微波去膠機,然后用濕法刻蝕作為一種清洗方式來去除殘留物和損傷的硅層。與干法刻蝕相比,濕法刻蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比,對器件不會帶來等離子體損傷,并且設(shè)各簡單。