電子束曝光、X射線曝光、離子束曝光等光刻技術(shù)都幾乎不受光的衍射極限限制,可以作SDCL1005C1N5STDF為分辨率達(dá)亞微米的超大規(guī)模集成電路的光刻技術(shù)。它們?cè)趡90世紀(jì)70年代就已出現(xiàn)。但是,由于生產(chǎn)效率低、設(shè)備復(fù)雜、價(jià)格昂貴,直到90年代電子束光刻才普遍用于超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)之中,現(xiàn)在已成為超大規(guī)模集成電路制版的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。

   電子束曝光

   電子束直寫式曝光技術(shù)可以完成0.1~0.25um的超微細(xì)加工,甚至可以實(shí)現(xiàn)數(shù)十納米線條的曝光。目前,電子束曝光技術(shù)已廣泛應(yīng)用于制造高精度掩模板、移相掩模板和X射線掩模板。電子束曝光的原理是用具有一定能量的電子與光刻膠碰撞作用,發(fā)生化學(xué)反應(yīng)完成曝光。具有一定能量的電子束進(jìn)人到光刻膠中,與光刻膠薄膜發(fā)生碰撞時(shí),主要會(huì)發(fā)生=種情況:①電子束穿過光刻膠層,既不發(fā)生方向的變化也沒有能量的損失;②電子束與光刻膠分子碰撞發(fā)生彈性散射,碰撞后方向發(fā)生改變,但是碰撞過程不損失能量;③電子束與光刻膠分子發(fā)生非彈性散射,不但發(fā)生方向改變,而且有能量的損失。