在圖5.43中,箭頭曲線表干擾的共模電流流向,由于光耦分布結(jié)電容的存在,T3V3S5-7共模電流會經(jīng)過光耦,流經(jīng)數(shù)字電路�？梢姳还怦罡綦x的數(shù)字電路部分是受到E「r/B共模電流的影響的,當(dāng)共模電流流過時(shí),如果數(shù)字電路的地平面存在較大的地阻抗,如地平面不完整、過孔太多等,可能會產(chǎn)生較高的壓降。該壓降超過一定的程度,電路就會受影響。

   分析到這里,大概清楚了電路受干擾的區(qū)域,即共模電流流經(jīng)的區(qū)域。如果共模電流不流經(jīng)數(shù)字電流部分或只有很小的部分共模電流流經(jīng)數(shù)字電路部分,那么產(chǎn)品在試驗(yàn)時(shí)出錯(cuò)的可能也會降低。按這個(gè)思路,在模擬電路的地與產(chǎn)品的接地端之間接旁路電容,值為10IlF,再進(jìn)行測試,可以通過±1kⅤ的E「r/B測試。再來看看在這種情況下與最初的情況實(shí)質(zhì)上發(fā)生了一些什么改變,如圖5,44所示。

   從圖5.44圖中可以清楚地看到,有E「r/B干擾的共模電流路徑已經(jīng)所有改變,即多了一條共模電流的路徑,同時(shí)由于10nF的旁路電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10pF的結(jié)電容,在旁路電容接地路徑阻抗較短的情況下,必然使大部分的干擾共模電流從旁路電容流向大地,使流經(jīng)數(shù)字電路的共模電流大大減小,數(shù)字電路受到了保護(hù),以致E「r/B干擾度水平大大提高。補(bǔ)充一點(diǎn),旁路電容的接地阻抗很重要,一定要保證很小的阻抗。在此再提一次,如果是用PCB布線的話,長寬比小于5的PCB銅箔具有很小的阻抗,在1fXl MHz的頻率下約為3mΩ。