許多雜質(zhì)既可以是替位式也可以是填隙式溶于晶體的晶格中,并通過這兩類雜質(zhì)的聯(lián)合移動(dòng)來擴(kuò)散。 MAX3041ESE+T一個(gè)替位原子可能離解成一個(gè)填隙原子和一個(gè)空位,所以這兩種擴(kuò)散總是相互關(guān)聯(lián)的。這類擴(kuò)散雜質(zhì)的跳躍速率隨晶格缺陷濃度、空位濃度和雜質(zhì)濃度的增加而迅速增加。對(duì)于具體的雜質(zhì)而言,究竟屬于哪一種擴(kuò)散方式,取決于雜質(zhì)本身的性質(zhì)。在單晶硅中,不同的雜質(zhì)元素是以不同方式擴(kuò)散的。

   ①替位式雜質(zhì):主要是ⅢA和ⅤA族元素,具有電活性,在硅中有較高的固溶度。它們多數(shù)以替位式方式進(jìn)行擴(kuò)散,擴(kuò)散速率慢,稱為慢擴(kuò)散雜質(zhì)。如川、B、Ga、h、P、跳、As。

   ②填隙式雜質(zhì):主要是IA和ⅧA族元素,如Na、K、h、H、七等。它們通常無電活性,在硅中以填隙式方式進(jìn)行擴(kuò)散,擴(kuò)散速率快。這類雜質(zhì)在微電子器件或集成電路制作中意義不大.對(duì)此不再討論。

   ③填隙―替位式雜質(zhì):大多數(shù)過渡元素,如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、i\g等.都以填隙一替位式方式擴(kuò)散,最終位于間隙和替位這兩種位置上。位于間隙的雜質(zhì)無電活性,位于替位的雜質(zhì)具有電活性。這兩種位置雜質(zhì)的固溶度差別很大,位于同種位置的比例隨元素不同而叉有很大差別,如Au約90%為電活性的,№只有0.1%具有電活性。填隙一替位式雜質(zhì)擴(kuò)散速率快,約比替位式擴(kuò)散雜質(zhì)快五六個(gè)數(shù)量級(jí),因此,被稱為快擴(kuò)散雜質(zhì),但在硅中的罔溶度小于替位式擴(kuò)散雜質(zhì)。