在雙極型晶體管中,硼擴散的目的是形成集電結(jié)和一定雜質(zhì)分布的基區(qū)。硼擴散TAS5704PAP采用固態(tài)氮化硼陶瓷源,開管兩步式擴散工藝,兩步擴散之間漂硼硅玻璃。

   第一步擴散――預(yù)淀積,在較低溫度氮氣保護下,采用恒定源擴散方式將硼源擴散到基區(qū)光刻窗口表層;

   第二步擴散――再分布,采用限定源的擴散方式,在氧氣氣氛條件下,將基區(qū)光刻窗口表層硼雜質(zhì)推進到內(nèi)部,達到基區(qū)結(jié)深,同時在基區(qū)窗口生長熱氧化層,作為發(fā)射區(qū)磷擴散的掩膜。

   工藝設(shè)備與工藝條件

   工藝設(shè)各:雙管3英寸高溫擴散爐,sZ82型四探針電阻測試儀,源瓶,控溫儀,氣體流量計,石英舟,氧氣瓶,氮氣瓶。

   試劑:氮化硼陶瓷源片(BN),硅膠干燥劑,分析純HF。

   硼源活化:爐溫975℃,氧氣流量為1I∥min,時間約⒛min。

   預(yù)淀積:爐溫975℃,氮氣流量為0.5L/min,時間在15~2o min。

   再分布:爐溫1170℃,氧氣流量為lI'/nlln,濕氧水溫98℃,時問為511・1n十氧-40min濕氧→10min干氧。