抗電磁干擾設計
發(fā)布時間:2017/7/19 19:53:30 訪問次數(shù):467
為使印制板上元器件的相互影響和干擾最小,高頻電路和低頻電路、高電位KSZ8081RNBCATR與低電位的元件不能靠得太近。輸人和輸出元器件應盡量遠離,盡可能縮短高頻元器件之間的連線,設法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾。
隨著高密度精細線寬/間距的發(fā)展,導線與導線間距越來越小,導線與導線之間的耦合和干擾作用會產(chǎn)生雜散信號或錯誤信號,俗稱串擾或噪聲。這種耦合作用可分為電容性耦合和電感性耦合作用。這些耦合作用所帶來的雜散信號,應通過設計或隔離辦法來減少或消除。
(1)采用信號線與地線交錯排列或地線包圍信號線,以達到良好的隔離作用。
(2)采用雙信號帶狀線時,相鄰的兩層信號線不宜平行布設,應相互垂直、斜交,以減少分布電容的產(chǎn)生,防止信號耦合。同時不宜成直角或銳角走線,應以圓角走弧線或斜線,盡量降低可能發(fā)生的干擾。
(3)減少信號線的長度。目前在保持高密度走線下,縮短信號傳輸線的最有效方法是采用多層板結構。
(4)應把最高頻信號或最高速數(shù)字化信號組件盡量接近印制電路板連接邊的輸入/輸出處。
(5)對高頻信號和高速數(shù)字化信號的組件的引腳,應采用有BGA(球柵陣列)類型結構,而盡量不采用密集的QFP(方形扁平封裝)形式。
(6)采用最新的GSP(裸芯片封裝)技術。
為使印制板上元器件的相互影響和干擾最小,高頻電路和低頻電路、高電位KSZ8081RNBCATR與低電位的元件不能靠得太近。輸人和輸出元器件應盡量遠離,盡可能縮短高頻元器件之間的連線,設法減少它們的分布參數(shù)和相互間的電磁干擾。
隨著高密度精細線寬/間距的發(fā)展,導線與導線間距越來越小,導線與導線之間的耦合和干擾作用會產(chǎn)生雜散信號或錯誤信號,俗稱串擾或噪聲。這種耦合作用可分為電容性耦合和電感性耦合作用。這些耦合作用所帶來的雜散信號,應通過設計或隔離辦法來減少或消除。
(1)采用信號線與地線交錯排列或地線包圍信號線,以達到良好的隔離作用。
(2)采用雙信號帶狀線時,相鄰的兩層信號線不宜平行布設,應相互垂直、斜交,以減少分布電容的產(chǎn)生,防止信號耦合。同時不宜成直角或銳角走線,應以圓角走弧線或斜線,盡量降低可能發(fā)生的干擾。
(3)減少信號線的長度。目前在保持高密度走線下,縮短信號傳輸線的最有效方法是采用多層板結構。
(4)應把最高頻信號或最高速數(shù)字化信號組件盡量接近印制電路板連接邊的輸入/輸出處。
(5)對高頻信號和高速數(shù)字化信號的組件的引腳,應采用有BGA(球柵陣列)類型結構,而盡量不采用密集的QFP(方形扁平封裝)形式。
(6)采用最新的GSP(裸芯片封裝)技術。