傳統(tǒng)的CM()S器件隨著特征尺寸逐步縮小,越來(lái)越顯現(xiàn)出局限性。研究人員正在積極尋找新的替代器件產(chǎn)品,R1EX24128BSAS0G以便在更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中超越體硅CMC)S技術(shù)。ITRS中提出的非傳統(tǒng)CMOS器件,有超薄體SC)I、能帶工程晶體管、垂直晶體管、雙柵晶體管、FinFET等。而未來(lái)有望被廣泛應(yīng)用的新興存儲(chǔ)器器件,主要有磁性存儲(chǔ)器(MRAM)、相變存儲(chǔ)器(PRAM)、納米存儲(chǔ)器(NRAM)、分子存儲(chǔ)器(molccular mem°ry)等。新興的邏輯器件則主要包括了諧振隧道二極管、單電子晶體管器件、快速單通量量子邏輯器件、量子單元自動(dòng)控制器件、納米管器件、分子器件等。

   在未來(lái)各種集成電路新器件中,大量納米技術(shù)將得到應(yīng)用,除了在存儲(chǔ)器和邏輯器件中作為晶體管的主要材料,某些形態(tài)的碳納米管可在晶體管中取代硅來(lái)控制電子流,并且碳納米管也可取代銅作為互連材料。因此,集成電路制造工藝技術(shù)也將迎來(lái)新的變革。