在水平式LPC`①的批量化生產(chǎn)中,由于襯底是密集擺放的,兩襯底硅片之間間距一般只有5m鹺右, PIC12F529T39A氣流中的反應(yīng)劑是通過(guò)硅片和反應(yīng)室之間的環(huán)形空間再擴(kuò)散到硅片之間的狹窄空隙中的,只有反應(yīng)劑的擴(kuò)散速率快,擴(kuò)散時(shí)間短,才能保證擴(kuò)散到每個(gè)襯底表面的反應(yīng)劑濃度均勻。而反應(yīng)劑氣相擴(kuò)散系數(shù)和反應(yīng)室工作氣壓成反比,降低氣壓能加快反應(yīng)劑的擴(kuò)散速率;但氣壓降低襯底表面邊界層厚度卻有所增加。綜合作用是氣壓降低反應(yīng)劑擴(kuò)散速率的提高更加明顯,例如,反應(yīng)室工作氣壓由常壓降至幾十帕?xí)r,通常反應(yīng)劑的擴(kuò)散速率能提高上百倍,極大地縮短了氣相質(zhì)量輸運(yùn)時(shí)間。

   因此,降低工作氣壓是襯底密集擺放的前提。

   由于水平式LPCⅥ)多采用熱壁式反應(yīng)器,整個(gè)反應(yīng)室內(nèi)的溫度為相同的高溫,這使得反應(yīng)劑會(huì)在氣相和室壁面發(fā)生反應(yīng),造成顆粒物污染。而若把置作氣壓由常壓降至幾十帕甚至更低時(shí),反應(yīng)劑密度大幅降低,分子平均自由程增長(zhǎng),反應(yīng)劑在氣相和室壁面發(fā)生反應(yīng)的現(xiàn)象會(huì)明顯減少。而且即使有顆粒物出現(xiàn),也多會(huì)被真空抽氣系統(tǒng)從反應(yīng)器中抽走。因此,降低工作氣壓也是熱壁式反應(yīng)器避免顆粒污染的有效方法。LPCVD的顆粒污染現(xiàn)象好于APC`0。

   IPC、⑩的工藝溫度通常是控制在表面反應(yīng)限制區(qū)。囚此,薄膜淀積速率對(duì)溫度非常敏感,而對(duì)反應(yīng)劑濃度的均勻性要求不高。這也是因?yàn)闊岜谑椒磻?yīng)器I作在低壓時(shí)氣壓易于波動(dòng),且襯底密集擺放使得片內(nèi)反應(yīng)劑濃度的均勻性降低,相對(duì)而言更易于控制溫度精度的緣故。電阻加熱器的控溫精度一般在±0.5℃,高精密的可達(dá)±0.1℃,這完全能滿(mǎn)足LPC`0對(duì)溫度的精確控制。