在水平式LPC`①的批量化生產中,由于襯底是密集擺放的,兩襯底硅片之間間距一般只有5m鹺右, PIC12F529T39A氣流中的反應劑是通過硅片和反應室之間的環(huán)形空間再擴散到硅片之間的狹窄空隙中的,只有反應劑的擴散速率快,擴散時間短,才能保證擴散到每個襯底表面的反應劑濃度均勻。而反應劑氣相擴散系數(shù)和反應室工作氣壓成反比,降低氣壓能加快反應劑的擴散速率;但氣壓降低襯底表面邊界層厚度卻有所增加。綜合作用是氣壓降低反應劑擴散速率的提高更加明顯,例如,反應室工作氣壓由常壓降至幾十帕時,通常反應劑的擴散速率能提高上百倍,極大地縮短了氣相質量輸運時間。

   因此,降低工作氣壓是襯底密集擺放的前提。

   由于水平式LPCⅥ)多采用熱壁式反應器,整個反應室內的溫度為相同的高溫,這使得反應劑會在氣相和室壁面發(fā)生反應,造成顆粒物污染。而若把置作氣壓由常壓降至幾十帕甚至更低時,反應劑密度大幅降低,分子平均自由程增長,反應劑在氣相和室壁面發(fā)生反應的現(xiàn)象會明顯減少。而且即使有顆粒物出現(xiàn),也多會被真空抽氣系統(tǒng)從反應器中抽走。因此,降低工作氣壓也是熱壁式反應器避免顆粒污染的有效方法。LPCVD的顆粒污染現(xiàn)象好于APC`0。

   IPC、⑩的工藝溫度通常是控制在表面反應限制區(qū)。囚此,薄膜淀積速率對溫度非常敏感,而對反應劑濃度的均勻性要求不高。這也是因為熱壁式反應器I作在低壓時氣壓易于波動,且襯底密集擺放使得片內反應劑濃度的均勻性降低,相對而言更易于控制溫度精度的緣故。電阻加熱器的控溫精度一般在±0.5℃,高精密的可達±0.1℃,這完全能滿足LPC`0對溫度的精確控制。