低壓化學(xué)氣相淀積(Low Pre~smre CX/△D,LPCⅥD是在APC`0之后出現(xiàn)的又一種以熱激活方式淀積薄膜的C、0工藝方法。通常LPC`①的反應(yīng)室氣壓在1~100h之間調(diào)節(jié),PIC12F519主要用于淀積介質(zhì)薄膜。LPCX/D設(shè)各也有多種結(jié)構(gòu)類型,圖⒎11所示是兩類常用LPC`①設(shè)備示意圖。是中電集團第48所LPC設(shè)各照片。

    PC、0水平式反應(yīng)器,它與APC`①的不同之處除了增加了真空系統(tǒng)以外,還使用普通的電阻加熱方式,襯底硅片垂直放置在熱壁式反應(yīng)器(即爐管)內(nèi),這些都和普通擴散爐一樣。水平式LPCX/ID與APC`①相比具有以下優(yōu)點:襯底的裝載量大大增加,可達(dá)幾百個硅片,更適合大批量生產(chǎn);氣體的用量大為減少,節(jié)約了源材料;使用結(jié)構(gòu)簡單功耗低的電阻加熱器,降低了生產(chǎn)成本。囚此,水平式LPC、①更適合作為批量化生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)工藝,目前已基本替代退℃VD被廣泛用于介質(zhì)薄膜的制各。

    反應(yīng)劑氣體由噴頭進(jìn)人反應(yīng)室,直接擴散到硅片表面。新型的LPC`①設(shè)備多是采用立式反應(yīng)器結(jié)構(gòu),一方面硅片是水平擺放在石英支架上,利于批量生產(chǎn)中機械手裝卸硅片;另一方面更利于氣流的均勻流動使反應(yīng)劑擴散到達(dá)襯底硅片表面,淀積的介質(zhì)薄膜的均勻性好于水平式LPC。