由反應(yīng)式可知,在⒊O2薄膜中會(huì)含有水汽,因而針孔密度較高,通常需要高溫退火去除潮氣,提高薄膜致密度。PIC16C505-04I/SL進(jìn)行退火,對(duì)本工藝方法來說也就增加了能耗cAPC`0用TEOS/03來淀積⒏O2薄膜的主要優(yōu)點(diǎn)是以TE(B為硅源,在淀積過程中,因TE(E與氧化硅的黏滯系數(shù)低,表面再發(fā)射能力強(qiáng),對(duì)于有高深寬比孔洞和溝槽等微結(jié)構(gòu)襯底的覆蓋能力、填充能力優(yōu)良,薄膜的均勻性就好。這種薄膜的電學(xué)特性也較好,可以作為絕緣介質(zhì)薄膜,如集成電路各單元之間的淺槽隔離工藝中的氧化層介質(zhì)膜就可以采用APCl/D TE(B/03方法淀積。另外,APCX△D是利用熱能激活的C、⑩工藝,用TE(B/O3來低溫淀積⒊02,避免了常規(guī)低溫PECl/ˉD(或HDP CX/ˉlD)工藝方法在淀積s02薄膜時(shí),由于等離子體的作用,對(duì)襯底硅片表面和邊角帶來的損傷。

   通常淀積s02薄膜是將APCVD TEOS/O3方法和其他方法結(jié)合起來使用,如將⒏H4/o2和TEOS/O3兩種方法聯(lián)用。這一方面是利用以TEOs/O3為反應(yīng)劑能改善薄膜的臺(tái)階覆蓋特性,另一方面能減小TEOS/O3在淀積厚膜時(shí)帶來的張應(yīng)力和減弱TEOS/03對(duì)下面膜層的敏感度。用TEO吖CJ。方法即可以淀積非摻雜sQ薄膜,用于金屬層之間的絕緣層,也可以摻人PH3,形成RC,或者再摻人B,踐,形成BPS。阝r和驢℃都可作為制各金屬化系統(tǒng)之前的絕緣層,然后高溫回流。RC回流條件為950℃,15~30血n;叩℃回流條件為800℃,60n△n。回流使摻雜的氧化層表面平坦、致密,且堅(jiān)固。一個(gè)平坦的表面對(duì)于下一步的淀積薄膜或光刻圖形都有利。