由反應式可知,在⒊O2薄膜中會含有水汽,因而針孔密度較高,通常需要高溫退火去除潮氣,提高薄膜致密度。PIC16C505-04I/SL進行退火,對本工藝方法來說也就增加了能耗cAPC`0用TEOS/03來淀積⒏O2薄膜的主要優(yōu)點是以TE(B為硅源,在淀積過程中,因TE(E與氧化硅的黏滯系數(shù)低,表面再發(fā)射能力強,對于有高深寬比孔洞和溝槽等微結構襯底的覆蓋能力、填充能力優(yōu)良,薄膜的均勻性就好。這種薄膜的電學特性也較好,可以作為絕緣介質薄膜,如集成電路各單元之間的淺槽隔離工藝中的氧化層介質膜就可以采用APCl/D TE(B/03方法淀積。另外,APCX△D是利用熱能激活的C、⑩工藝,用TE(B/O3來低溫淀積⒊02,避免了常規(guī)低溫PECl/ˉD(或HDP CX/ˉlD)工藝方法在淀積s02薄膜時,由于等離子體的作用,對襯底硅片表面和邊角帶來的損傷。

   通常淀積s02薄膜是將APCVD TEOS/O3方法和其他方法結合起來使用,如將⒏H4/o2和TEOS/O3兩種方法聯(lián)用。這一方面是利用以TEOs/O3為反應劑能改善薄膜的臺階覆蓋特性,另一方面能減小TEOS/O3在淀積厚膜時帶來的張應力和減弱TEOS/03對下面膜層的敏感度。用TEO吖CJ。方法即可以淀積非摻雜sQ薄膜,用于金屬層之間的絕緣層,也可以摻人PH3,形成RC,或者再摻人B,踐,形成BPS。阝r和驢℃都可作為制各金屬化系統(tǒng)之前的絕緣層,然后高溫回流。RC回流條件為950℃,15~30血n;叩℃回流條件為800℃,60n△n。回流使摻雜的氧化層表面平坦、致密,且堅固。一個平坦的表面對于下一步的淀積薄膜或光刻圖形都有利。