硅片有多個(gè)特征參量,如晶向、摻雜類N25Q128A13BSF40G型、雜質(zhì)濃度(或電阻率)等,可以按照其中一個(gè)參量來劃分硅片,如按照摻雜濃度劃分硅片。本征硅理論上的電阻率可以達(dá)到20kΩ・cm,生產(chǎn)單晶硅片時(shí),即使并未有意摻雜,也會(huì)有無意雜質(zhì)摻人其中,如當(dāng)前FZ硅無意雜質(zhì)濃度最低可達(dá)10"atoms/cm3。輕摻雜硅片,標(biāo)記為ll si或f Si,雜質(zhì)濃度在10″~1o15扯0ms/cm3之間,多用于大功率整流器件。中等摻雜硅片,標(biāo)記為艸Si或ΓSi,雜質(zhì)濃度在1ol。~1o1:菠°ms/cm3之間,主要用于晶體管器件。重?fù)诫s硅片,標(biāo)記為rl si或曠si,雜質(zhì)濃度在1o”~1021at°ms/cm3之間,是外延用的單晶襯底。

   RCA清洗法為美國無線電公司開發(fā)的一種晶片濕式化學(xué)清洗技術(shù)。

   按晶向劃分硅片,有E100]型、[110]型和E111彐型硅片。

   按摻雜類型劃分硅片,有n型和p型硅片。

   硅片作為微電子產(chǎn)品的襯底,按照其用途來劃分規(guī)格也是常用方

法,如有二極管級(jí)硅片、集成電路級(jí)硅片、太陽電池級(jí)硅片等。在表22中給出了二極管級(jí)硅片的主要技術(shù)參數(shù)。圖2n所示是二極管級(jí)硅片照片。