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CMOs與鰭式MOsFET(FinFET)

發(fā)布時間:2017/10/17 21:17:25 訪問次數(shù):1551

   伴隨著CMOS器件工藝特征尺寸持續(xù)地按比例縮小到14nm及以下技術(shù)節(jié)點以后,通過采用三維器件結(jié)構(gòu), T010051從垂直方向進一步增大溝道寬度,進而增加溝道電流。這種具有垂直方向溝道的新穎三維晶體管被稱為鰭式場效應晶體管或FinFET「16d7]。目前成熟的14nm節(jié)點制造工藝,在單一方向,晶圓上組成溝道的鰭片薄而長,寬為7~15nm,高為15~30nm,重復間距為40~60nm。圖3.15給出鰭式場效應晶體管集成制造工藝流程,采用了間隔墻雙重圖案化技術(shù)來形成鰭片并采用RMG流程來形成高慮介質(zhì)與金屬柵極。

    


   伴隨著CMOS器件工藝特征尺寸持續(xù)地按比例縮小到14nm及以下技術(shù)節(jié)點以后,通過采用三維器件結(jié)構(gòu), T010051從垂直方向進一步增大溝道寬度,進而增加溝道電流。這種具有垂直方向溝道的新穎三維晶體管被稱為鰭式場效應晶體管或FinFET「16d7]。目前成熟的14nm節(jié)點制造工藝,在單一方向,晶圓上組成溝道的鰭片薄而長,寬為7~15nm,高為15~30nm,重復間距為40~60nm。圖3.15給出鰭式場效應晶體管集成制造工藝流程,采用了間隔墻雙重圖案化技術(shù)來形成鰭片并采用RMG流程來形成高慮介質(zhì)與金屬柵極。

    


相關技術(shù)資料
10-17CMOs與鰭式MOsFET(FinFET)
相關IC型號
T010051
T0100

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