HDP CVD可用于金屬形成前或形成后。某些金屬如NiSix或Al會(huì)對(duì)形成后的I藝溫度有一定限制,而在HDP CVD反應(yīng)腔中高密度等離子體轟擊硅片表面會(huì)導(dǎo)致很高的硅片溫度,另外,高的熱負(fù)荷會(huì)引起硅片的熱應(yīng)力。NCV8664-5V對(duì)硅片溫度的限制要求對(duì)硅片進(jìn)行降溫,在HDP CVD反應(yīng)腔中是由背面氦氣冷卻系統(tǒng)和靜電卡盤(pán)(electrc,statiC chuck)共同在硅片和卡盤(pán)之間形成一個(gè)熱傳導(dǎo)通路,從而來(lái)降低硅片和卡盤(pán)的溫度。

HDP CVD的反應(yīng)包含兩種或多種氣體參與的化學(xué)反應(yīng)。根據(jù)沉積的絕緣介質(zhì)摻雜與否及摻雜的種類(lèi),常見(jiàn)的有以下幾種:

   (1)非摻雜硅(酸鹽)玻璃(u⒈doped silicate glass,USG)⒏H4+02―→USG+揮發(fā)物

   (2)氟硅(酸鹽)玻璃(flu。rosilicatc glass,FSG)⒏H4+SiF4+02―→FSG+揮發(fā)物

  (3)磷硅(酸鹽)玻璃(phosphosilicate glass,PSG)

SiH4+PH3+02―→PSG+揮發(fā)物