HDP CVD可用于金屬形成前或形成后。某些金屬如NiSix或Al會對形成后的I藝溫度有一定限制,而在HDP CVD反應腔中高密度等離子體轟擊硅片表面會導致很高的硅片溫度,另外,高的熱負荷會引起硅片的熱應力。NCV8664-5V對硅片溫度的限制要求對硅片進行降溫,在HDP CVD反應腔中是由背面氦氣冷卻系統和靜電卡盤(electrc,statiC chuck)共同在硅片和卡盤之間形成一個熱傳導通路,從而來降低硅片和卡盤的溫度。

HDP CVD的反應包含兩種或多種氣體參與的化學反應。根據沉積的絕緣介質摻雜與否及摻雜的種類,常見的有以下幾種:

   (1)非摻雜硅(酸鹽)玻璃(u⒈doped silicate glass,USG)⒏H4+02―→USG+揮發(fā)物

   (2)氟硅(酸鹽)玻璃(flu。rosilicatc glass,FSG)⒏H4+SiF4+02―→FSG+揮發(fā)物

  (3)磷硅(酸鹽)玻璃(phosphosilicate glass,PSG)

SiH4+PH3+02―→PSG+揮發(fā)物