在HDP CVD工藝問世之前,大多數(shù) NCP5661DT33RKG芯片廠普遍采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PE CVD)進(jìn)行絕緣介質(zhì)的填充。這種工藝對于大于0.8um的間隔具有良好的填孔效果,然而對于小于0.8um的間隔,用P:CVD工藝一步填充這么高的深寬比(定義為間隙的深度和寬度的比值)的間隔時會在間隔中部產(chǎn)生夾斷(pincl△off)和空穴(見圖4.12)。其他一些傳統(tǒng)CVD工藝,如常壓CVD(APCVD)和亞常壓CVD(SACVD)雖然可以提供對小至0.25um的間隔的無孔填充,但這些缺乏等離子體輔助沉積產(chǎn)生的膜會有低密度和吸潮性等缺點,需要增加P:CVD薄膜對其進(jìn)行保護(hù),或者進(jìn)行后沉積處理(如退火回流等)。這些工序的加人同樣提高了生產(chǎn)成本,增加了整個I藝流程的步驟和復(fù)雜性。

   為了同時滿足高深寬比間隙的填充和控制生產(chǎn)成本,誕生了HDP CVD工藝,它的特點在于,可以在同一個反應(yīng)腔中同步地進(jìn)行沉積和物理轟擊(見圖4.13),從而實現(xiàn)絕緣介質(zhì)在溝槽中的bottom up生長。