切斷:切除單晶硅錠的頭部、尾部及N18FPVLR超規(guī)格部分,將單晶硅錠分段成切片設備可以處理的長度,應切取試片測量單晶硅錠的電阻率和含氧量等。切斷設備:內圓切割機或外圓切割機。

    滾磨:由于生長的單晶硅錠的外徑表面并不平整,E111彐晶向硅錠有3個棱,E100]晶向硅錠有4個棱,直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。外徑滾磨設備:磨床。

    定晶向:將滾磨后的硅錠進行平邊或V形槽處理,采用X射線衍射方法確定晶向。當X射線被晶體衍射時,通過測量衍射線的方位即可以確定出晶體取向。直徑在150mm以下的硅錠,用磨床磨出平邊,用來標記晶向和摻雜類型,在后面工藝中用于對準晶向。硅片主要晶向和摻雜類型的定位平邊(定位面)形狀如圖~910所示。更大的硅錠是在其側面磨出一V形槽。

   磨出平邊后用化學腐蝕方法去除滾磨造成的損傷,化學腐蝕液為HPHNo3系統(tǒng)。切片:以主平邊為基準,將硅錠切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。(111)、(100)硅片的切片偏差小于±1°,而外延用(111)硅片應偏離晶向3°±0.5°切片。