切片的設(shè)各:內(nèi)圓切割機或線切割機。

   倒角:將切割好晶片的銳利邊修整成圓弧形,以減少晶片邊緣的破裂及晶格缺陷的產(chǎn)生。碎削會N2526-6002RB給后面的工藝帶來污染。

   倒角設(shè)各:倒角機。

   研磨:通過研磨除去切片造成的硅片表面鋸痕,以及由此帶來的表面損傷層,能有效改善硅片的曲度、平坦度和平行度,達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。研磨設(shè)備:研磨機(雙面研磨)。主要原料:研磨漿料(主要成分為氧化鋁、鉻砂、水),滑浮液。腐蝕:在經(jīng)切片及研磨等機械加工之后晶片表面受加I應(yīng)力而形成的損傷層使用腐蝕方法去除工藝。腐蝕方式有酸性腐蝕和堿性腐蝕,酸性腐蝕是最普遍方法。酸性腐蝕液由HNO3-HF混酸及一些緩沖酸液(CH3COCH,H3PO4)組成。堿性腐蝕的腐蝕液由

   KOH或NaOH強堿加純水組成。

   拋光:去除晶片表面的微缺陷、改善表面光潔度、獲得高平坦度拋光面的加工方法。拋光加工通常先進行粗拋,以去除損傷層,一般去除量為10~~90um;然后再精拋,以改善晶片表面的微粗糙程度,一般去除量在1um以下。

   拋光液通常由含有s02的微細懸浮硅酸鹽膠體和NaOH強堿(或KOH或NH^OH)組成,分為粗拋漿液和精拋漿液。