應(yīng)力記憶技術(shù)(Stress Memohzation Technique,SMT),是90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下興起的一種著眼于提升NMOS器件速度的應(yīng)力工程[21J。sMT的特點(diǎn)在于,K4S643232H-UC60該技術(shù)憑借拉應(yīng)力作用,可以顯著加快NMOS器件的電子遷移率,從而提高NMOs器件的驅(qū)動電流;然而,SMT在集成電路制造技術(shù)中如同一個(gè)“隱形人”,在整個(gè)工藝流程完成之后,該項(xiàng)技術(shù)不會對器件產(chǎn)生任何結(jié)構(gòu)性的變化。

    sMT技術(shù)的分類

   在業(yè)界早期的探索中,SMT出現(xiàn)了許多流派:

   (1)源、漏極離子注人完成之后,采用低應(yīng)力水平的膜層(如二氧化硅)作為保護(hù)層,對多晶硅柵極進(jìn)行高溫退火E221;

   (2)源、漏極離子注人完成之后,采用高應(yīng)力水平的膜層(如高應(yīng)力氮化硅)作為保護(hù)層,再對多晶硅柵極進(jìn)行高溫退火「23];

   (3)沉積高應(yīng)力水平的膜層之后,直接做高溫退火,而不采用預(yù)先的離子注人非晶化過程[24]。在這三大流派下面,還有很多具體的分支,諸如離子注入的條件差異、應(yīng)力膜系的選擇、退火條件的不同等。隨著研究的逐步深人以及工業(yè)應(yīng)用的反饋,上述第二種流派被越來越多的業(yè)者青睞,已經(jīng)成為SMT的主流技術(shù)。而事實(shí)上,在這一分支下,仍有許多探索和實(shí)驗(yàn)在進(jìn)行。有研究表明傳統(tǒng)的SMT技術(shù)會降低PMOS器件的驅(qū)動電流[25],如圖5,10所示,NMOS速度可以提高10%以上,而PMOS卻有15%的衰減。