上面提到,也有學(xué)者提出通過改善應(yīng)力膜層自身特性的方法,達(dá)到既可以提高NMOS的器件速度,K4T1G164QF-BCE6叉不損傷PMC)S性能的目的[26],這種方法由于可以節(jié)省一道光刻和刻蝕工藝的消耗,又被稱為低成本應(yīng)力記憶技術(shù)。具體工藝流程如下:在做完側(cè)墻之后,會對源、漏極進(jìn)行非晶化的離子注人,生長完一層很薄的二氧化硅緩沖層之后,再在整片晶片上沉積一層拉應(yīng)力氮化硅。然后直接進(jìn)行高溫退火,最后才用磷酸將氮化硅一次性去除。為了減少SMT對PMC)S的副作用,氮化硅沉積后加紫外光照射。紫外光照射可以減少氮化硅薄膜 中的氫含量,由其引起的硼離子損失(B loss)得到減輕,因而減少對PMOS的副作用[26],如圖5.12所示。

   圖5.12 氮化硅應(yīng)力膜層白身特性對PM(E器件驅(qū)動電流的影響

總體來講,這兩種方法都有業(yè)者在使用,也各有利弊。前一種工藝更為成熟,工藝整合風(fēng)險低,但存在成本高,工藝復(fù)雜的缺點(diǎn);后一種工藝的優(yōu)點(diǎn)是工序簡單,成本更低,但對氮化硅薄膜的工藝要求較高,工藝整合的可靠性還有待時間的驗(yàn)證。