由于CVD工藝生長的嵌入式碳硅工藝具有一定的困難度,文獻E17~20]報道了其他方面的努力, K4T1G084QF-BCF7包含采用碳離子植人后,使用固相外延技術來獲得嵌入式碳硅工藝。嵌人式碳硅I藝除了在源漏區(qū)制造的困難外,如何在后續(xù)的I藝步驟中把所摻入的碳保持在替位晶格中也是一個巨大的挑戰(zhàn)。一旦碳原子不在替位晶格中,那么應變效果就失 種負面效應呢?研究者再次給出了不同的答案:比較傳統(tǒng)的思路是,在成高應力膜層(通常是氮化硅)沉積之后,額外增加一層光刻和刻蝕,去除PMOs區(qū)域的薄膜,再進行高溫退火。但這種方法會消耗更多的制造成本,而且引入多一層光刻和刻蝕,也會給工藝控制帶來更多的變異,因此有學者提出通過改善應力膜層自身特性的方法,達到既可以提高NMOS的器件速度,又不損傷PMOS性能.