依照前面對(duì)于SMT的大致分類,本節(jié)將針對(duì)主流SMT的工藝流程展開介紹。前面曾K4T1G164QE-HCE7提及傳統(tǒng)的SMT技術(shù)會(huì)降低PMOS器件的驅(qū)動(dòng)電流,針對(duì)這個(gè)問(wèn)題的改善,業(yè)界叉提出了兩種解決途徑,下面將逐一進(jìn)行闡述。

   由于傳統(tǒng)SMT對(duì)于NMOS器件性能有顯著提升,而對(duì)PMOS性能卻有一定程度的損害。通常的思路是選擇性去除PMC)S區(qū)域的高應(yīng)力氮化硅「21],具體工藝流程如圖5.11所示L明。SMT實(shí)際上是在側(cè)墻(spacer)和自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicidc)之間安插進(jìn)去的一段獨(dú)立的工藝,在做完側(cè)墻之后,通常會(huì)對(duì)源、漏極進(jìn)行非晶化的離子注人,生長(zhǎng)完一層很薄的二氧化硅緩沖層之后,會(huì)在整個(gè)晶片上沉積一層高應(yīng)力氮化硅。然后通過(guò)一次光刻和干法刻蝕的工藝,去除掉PMOS區(qū)域的氮化硅,通過(guò)酸槽洗掉露出來(lái)的二氧化硅,接下來(lái)就是非常關(guān)鍵的高溫退火過(guò)程了。因?yàn)闇囟阮A(yù)算的限制,通常會(huì)采用快速高溫退火技術(shù),甚至是毫秒級(jí)退火。通常來(lái)講,會(huì)在第一次尖峰退火(spikc anneaD之后,用磷酸將剩余氮化硅全部去除,再做一次毫秒級(jí)退火。但也有人傾向于在兩次退火都做完之后,再去除氮化硅。