在PNL的基礎(chǔ)上叉有兩個(gè)改進(jìn)工藝LRW(low resistallce W)和PNLxT。LRW是在PNL完成后加了一步B2H6和WF6反應(yīng),主要作用是增大晶粒。PNI'xT是在PNL反應(yīng)過程中通入H2,主要作用是用H和WF6帶來的F反應(yīng),形成的HF是氣態(tài)被抽走,這樣可以減少F對(duì)基體的攻擊(attack),降低∞lcaxlo產(chǎn)生的概率。OPA2277U/2K5為了進(jìn)一步降低nucleationlayer的厚度和增大grain sizc,在LRW的基礎(chǔ)上又發(fā)展出了LRWxT工藝,其完全用B2H6代替SiH4,最后總的nucleati°n layer只有約1nm,grain size可達(dá)280hm,resistance比PNL可降低40%。

   對(duì)于bulk deposition,主要的改進(jìn)工藝是∞ol伍ll,顧名思義就是把反應(yīng)溫度降低,從而降低沉積速率以提高填洞能力,但grain size略有變小,使rcsistance有3%的增加。一般而言,為了降低contact resistance,希望能使高阻的glue layer盡量薄。但事實(shí)上,glue layer的grain size會(huì)影響W的grain size,而glue layer的grain size又受glue layer厚度的影響,同時(shí)glue layer的Tl變薄也會(huì)使Ti gette⒒ng作用下降,從而使整個(gè)∞ntact的resistance變大。所以在實(shí)踐中,要去做試驗(yàn)去發(fā)現(xiàn)合適的glue layer厚度。