前面提到了光刻分辨率由系統(tǒng)的數(shù)值孔徑和波長(zhǎng)決定,當(dāng)然還有與乃l因子相關(guān)的光刻分辨率增強(qiáng)方式有關(guān)。P1302/2CR2C本節(jié)主要介紹如何評(píng)判光刻工藝的分辨率。我們知道,光學(xué)系統(tǒng)的分辨率由著名的瑞利(Rayleigh)判據(jù)給出。當(dāng)兩個(gè)相同大小的點(diǎn)光源靠近到它們的中心到中心的距離等于每一個(gè)光源在光學(xué)儀器所成像的光強(qiáng)最大值到第一極小值的距離時(shí),光學(xué)系統(tǒng)便不能夠分辨出是兩個(gè)還是一個(gè)光源,如圖7.8所示。不過,即便是符合瑞利判據(jù),兩個(gè)點(diǎn)光源之間區(qū)域的光強(qiáng)仍然比峰值低一些,有大約⒛%的對(duì)比度。對(duì)于線光源,當(dāng)光源的寬度是無限小時(shí),對(duì)于數(shù)值孔徑為NA,照明光源的波長(zhǎng)為^的光學(xué)系統(tǒng),在像平面的光強(qiáng)分布夠印制空間周期為71.5nm的圖形呢?回答是否定的。原因有兩個(gè):①一個(gè)工藝需要一定的寬裕度和工藝指標(biāo)才能夠大規(guī)模生產(chǎn);②所有機(jī)器設(shè)各的可商業(yè)化的制造精度以及機(jī)器性能的全面性,如此機(jī)器既能夠印制在分辨率極限的密集線條,也能夠印制孤立的圖形,而且還必須最大限度地降低剩余像差對(duì)I藝的影響。對(duì)于l,35NA的光刻機(jī),阿斯麥公司承諾最小能夠生產(chǎn)的圖形空間周期為76nm,也就是等間距的38nm密集線條。在光刻工藝當(dāng)中,極限分辨率只具有參考價(jià)值,實(shí)際工作當(dāng)中,我們只談在某工個(gè)空間周期、某一個(gè)線寬,具各多大工藝窗口,是否夠用于量產(chǎn)。表征工藝窗口的參數(shù)將在7.4節(jié)中詳細(xì)討論,這里做一下簡(jiǎn)單介紹。通常,表征工藝窗口的參數(shù)有曝光能量寬裕度(Exposure LatitLlde,EL)、對(duì)焦深度或者焦深(Depth of Focus,DOF)、掩膜版誤差因子(Mask Error Factor,MEF)、套刻精度(oveday accuracy)、線寬均勻性(linewidth unf°rmity),等等。