曝光能量寬裕度指的是在線(xiàn)寬允許變化范圍內(nèi),曝光能量允許的最大偏差。如線(xiàn)寬P16C2510-133L為90nm的線(xiàn)條,線(xiàn)寬隨能量的變化為3nm/mJ,而線(xiàn)寬的允許變化范圍是±9nm,那么允許的曝光能量變化范圍是9×2/3=6mJ。如果曝光能量是30mJ,能量寬裕度相對(duì)曝光能量為⒛%。

    對(duì)焦深度一般是同光刻機(jī)焦距控制的性能相關(guān)的。如193nm的光刻機(jī)的焦距控制精度,包括機(jī)器的焦平面的穩(wěn)定性、鏡頭的像場(chǎng)彎曲、散光像差、找平的精度、硅片平臺(tái)的平整度等,為120nm,那么一個(gè)能夠量產(chǎn)的工藝最小的焦深應(yīng)該在120nm以上,如果加上其他工

藝的影響,如化學(xué)一機(jī)械平坦化(chemica卜mechanical planaozation),最小焦深還需要提高,如提到200nm。當(dāng)然,后面會(huì)講到,焦深的提高可能會(huì)以能量寬裕度為代價(jià)。

   掩膜版誤差因子(MEF)定義為硅片線(xiàn)寬由于掩膜版上的線(xiàn)寬偏差造成的偏差同掩膜版上偏差的比值。

   通常情況下,MEF接近或者等于1.0。但是,在圖形空間周期接近衍射極限,MEF會(huì)迅速增加。太大的誤差因子會(huì)造成硅片上線(xiàn)寬均勻性的變差�；蛘�,對(duì)應(yīng)給定的線(xiàn)寬均勻性要求,對(duì)掩膜版線(xiàn)寬均勻性提出過(guò)高要求。